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1N5408GP: 产品描述3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小75KB，共3页; 制造商MCC; 官网地址http://www.mccsemi.com

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1N5408GP概述

3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

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MCC

Features

•

omponents

21201 Itasca Street Chatsworth

!"#

$ % !"#

1N5400GP

THRU

1N5408GP

3 Amp Glass

Passivated Rectifier

50 - 1000 Volts

DO-201AD

Low Current Leakage

Metalurgically Bonded Construction

Low Forward Voltage

High Current Capability

Glass Passivated Junction

•

Maximum Ratings

Operating Temperature: -55°C to +150°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

Maximum Thermal Resistance; 30

°C/W

Junction To Lead

MCC

Catalog

Number

Device

Marking

Maximum

Recurrent

Peak

Reverse

Voltage

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

Maximum

RMS

Voltage

Maximum

Blocking

Voltage

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

1N5400GP

1N5401GP

1N5402GP

1N5404GP

1N5406GP

1N5407GP

1N5408GP

---

35V

70V

140V

280V

420V

560V

700V

Cathode

Mark

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Average Forward

F(AV)

3.0A

= 105°C

Current

Peak Forward Surge

FSM

200A

8.3ms, half sine

Current

Maximum

1.1V

= 3.0A;

Instantaneous

Forward Voltage

= 25°C*

Maximum DC

Reverse Current At

5.0µA

= 25°C

Rated DC Blocking

50µA

= 125°C

Voltage

Typical Junction

40pF

Measured at

Capacitance

1.0MHz, V

=4.0V

*Pulse test: Pulse width 300

µsec,

Duty cycle 1%

DIMENSIONS

INCHES

MIN

---

.048

1.000

MIN

---

1.20

25.40

DIM

MAX

.370

.250

.052

---

MAX

9.50

6.40

1.30

---

NOTE

www.mccsemi.com

1N5408GP相似产品对比

	1N5408GP	1N5400GP	1N5401GP	1N5402GP	1N5404GP	1N5406GP	1N5407GP
描述	3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

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