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1N5408G

产品描述3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-27
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小14KB,共1页
制造商SSE
官网地址http://www.sse-diode.com/
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1N5408G概述

3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-27

1N5408G规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
状态CONSULT MFR
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子位置AXIAL
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型整流二极管
应用GENERAL PURPOSE
相数1
最大重复峰值反向电压1000 V
最大平均正向电流3 A
最大非重复峰值正向电流200 A

1N5408G相似产品对比

1N5408G 1N5400G 1N5401G 1N5402G 1N5404G 1N5406G 1N5407G
描述 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-27 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-27 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD RECTIFIER DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
状态 CONSULT MFR ACTIVE - - - ACTIVE ACTIVE
二极管类型 整流二极管 整流二极管 - - - 整流二极管 RECTIFIER DIODE
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