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1N5407

产品描述3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小99KB,共2页
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1N5407概述

3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

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1N5400
3.0 AMP SILICON RECTIFIERS
THRU
1N5408
VOLTAGE RANGE
50 to 1000 Volts
CURRENT
FEATURES
* Low forward voltage drop
* High current capability
* High reliability
* High surge current capability
3.0 Amperes
DO-27
.220(5.6)
.197(5.0)
DIA.
1.0(25.4)
MIN.
MECHANICAL DATA
* Case: Molded plastic
* Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
* Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-202,
method 208 guranteed
* Polarity: Color band denotes cathode end
* Mounting position: Any
* Weight: 1.10 grams
.375(9.5)
.285(7.2)
.052(1.3)
.048(1.2)
DIA.
1.0(25.4)
MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.
Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
TYPE NUMBER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
.375"(9.5mm) Lead Length at Ta=75 C
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 3.0A
Maximum DC Reverse Current
Ta=25 C
at Rated DC Blocking Voltage
Ta=100 C
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Typical Thermal Resistance R
θ
JA (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range T
J
, T
STG
NOTES:
1N5400 1N5401
1N5402 1N5404
1N5406 1N5407 1N5408
UNITS
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
3.0
200
1.0
5.0
50
40
30
-65
+150
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
µA
µA
pF
C/W
C
1. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
2. Thermal Resistance from Junction to Ambient .375" (9.5mm) lead length.
122

1N5407相似产品对比

1N5407 1N5401 1N5400 1N5404 1N5406 1N5408
描述 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE,1KV V(RRM),DO-204AE
端子数量 - 2 2 2 2 -
元件数量 - 1 1 1 1 -
加工封装描述 - 塑料 PACKAGE-2 塑料 PACKAGE-2 绿色, 塑料 PACKAGE-2 铅 FREE, 塑料, CASE 267-05, 2 PIN -
状态 - ACTIVE ACTIVE ACTIVE DISCONTINUED CONSULT MFR
包装形状 - -
包装尺寸 - LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM -
端子形式 - 线 线 线 线 -
端子涂层 - MATTE 锡 PURE 锡 MATTE 锡 -
端子位置 - AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL -
包装材料 - 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 -
结构 - 单一的 单一的 单一的 单一的 -
壳体连接 - 隔离 隔离 隔离 隔离 -
二极管元件材料 - -
二极管类型 - 整流二极管 整流二极管 整流二极管 整流二极管 整流二极管
应用 - GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE EFFICIENCY GENERAL PURPOSE -
相数 - 1 1 1 1 -
最大重复峰值反向电压 - 100 V 50 V 400 V 600 V -
最大平均正向电流 - 3 A 3 A 3 A 3 A -
最大非重复峰值正向电流 - 200 A 200 A 200 A 200 A -

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