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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> 1N5406
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1N5406

产品描述3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小225KB，共2页
制造商DCCOM [ DC COMPONENTS ]
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1N5406在线购买

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1N5406概述

3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

1N5406规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述铅 FREE, 塑料, CASE 267-05, 2 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态DISCONTINUED
包装形状圆
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子涂层MATTE 锡
端子位置AXIAL
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料硅
二极管类型整流二极管
应用GENERAL PURPOSE
相数1
最大重复峰值反向电压600 V
最大平均正向电流3 A
最大非重复峰值正向电流200 A

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DC COMPONENTS CO., LTD.
R
1N5400
THRU
1N5408
RECTIFIER SPECIALISTS
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SILICON RECTIFIER
VOLTAGE RANGE - 50 to 1000 Volts CURRENT - 3.0 Amperes
FEATURES
*
*
*
*
Low cost
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
DO-27
MECHANICAL DATA
*
*
*
*
*
*
Case: Molded plastic
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
Lead: MIL-STD-202E, Method 208 guaranteed
Polarity: Color band denotes cathode end
Mounting position: Any
Weight: 1.18 grams
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Dimensions in inches and (millimeters)
o
SYMBOL
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
.375*(9.5mm) lead length at T
L
= 105
o
C
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC Method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 3.0A DC
Maximum DC Reverse Current
@T
A
= 25
o
C
at Rated DC Blocking Voltage
@T
A
= 100
o
C
Maximum Full Load Reverse Current Average, Full Cycle
.375*(9.5mm) lead length at T
L
= 75
o
C
Typical Junction Capacitance (Note)
Typical Thermal Resistance
Operating and Storage Temperature Range
NOTES : Measured at 1 MH
Z
and applied reverse voltage of 4.0 volts
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
V
F
1N5400 1N5401 1N5402 1N5404 1N5406 1N5407 1N5408
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
3.0
200
1.1
5.0
500
30
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
UNITS
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
Volts
uAmps
uAmps
pF
0
I
R
C
J
R
θ
JA
T
J
, T
STG
40
30
-65 to + 175
C/ W
0
C
112

1N5406相似产品对比

1N5406 1N5401 1N5400 1N5402 1N5404 1N5407 1N5408
描述 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD RECTIFIER DIODE,1KV V(RRM),DO-204AE
端子数量 2 2 2 2 2 - -
元件数量 1 1 1 1 1 - -
加工封装描述 铅 FREE, 塑料, CASE 267-05, 2 PIN 塑料 PACKAGE-2 塑料 PACKAGE-2 塑料 PACKAGE-2 绿色, 塑料 PACKAGE-2 - -
状态 DISCONTINUED ACTIVE ACTIVE DISCONTINUED ACTIVE - CONSULT MFR
包装形状 圆 圆 圆 圆 圆 - -
包装尺寸 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM - -
端子形式 线 线 线 线 线 - -
端子涂层 MATTE 锡 锡 MATTE 锡 锡 铅 PURE 锡 - -
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL - -
包装材料 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 - -
结构 单一的 单一的 单一的 单一的 单一的 - -
壳体连接 隔离 隔离 隔离 隔离 隔离 - -
二极管元件材料 硅 硅 硅 硅 硅 - -
二极管类型 整流二极管 整流二极管 整流二极管 整流二极管 整流二极管 - 整流二极管
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE EFFICIENCY - -
相数 1 1 1 1 1 - -
最大重复峰值反向电压 600 V 100 V 50 V 200 V 400 V - -
最大平均正向电流 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A - -
最大非重复峰值正向电流 200 A 200 A 200 A 200 A 200 A - -

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