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RM12N500T2

产品描述MOSFET TO-220 MOSFET
产品类别半导体    分立半导体    晶体管    MOSFET   
文件大小1MB,共9页
制造商Rectron
标准
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RM12N500T2概述

MOSFET TO-220 MOSFET

RM12N500T2规格参数

参数名称属性值
厂商名称Rectron
产品种类MOSFET
技术Si
安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-220-3
通道数量1 Channel
晶体管极性N-Channel
Vds-漏源极击穿电压500 V
Id-连续漏极电流12 A
Rds On-漏源导通电阻520 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压3 V
Vgs - 栅极-源极电压30 V
Qg-栅极电荷30 nC
最小工作温度- 55 C
最大工作温度+ 150 C
Pd-功率耗散101 W
配置Single
通道模式Enhancement
封装Tube
晶体管类型1 N-Channel
正向跨导 - 最小值8 S
下降时间5 ns
上升时间5 ns
工厂包装数量1000
典型关闭延迟时间55 ns
典型接通延迟时间11 ns

 
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