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RMP2N60T2

产品描述MOSFET TO-220 MOSFET
产品类别半导体    分立半导体    晶体管    MOSFET   
文件大小1010KB,共12页
制造商Rectron
标准
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RMP2N60T2概述

MOSFET TO-220 MOSFET

RMP2N60T2规格参数

参数名称属性值
厂商名称Rectron
产品种类MOSFET
技术Si
安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-220-3
通道数量1 Channel
晶体管极性N-Channel
Vds-漏源极击穿电压600 V
Id-连续漏极电流2 A
Rds On-漏源导通电阻4.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压2 V
Vgs - 栅极-源极电压30 V
Qg-栅极电荷14 nC
最小工作温度- 55 C
最大工作温度+ 150 C
Pd-功率耗散54 W
配置Single
通道模式Enhancement
封装Tube
晶体管类型1 N-Channel
正向跨导 - 最小值2 S
下降时间45 ns
上升时间50 ns
工厂包装数量1000
典型关闭延迟时间40 ns
典型接通延迟时间16 ns

RMP2N60T2相似产品对比

RMP2N60T2 RMP2N60LD-T RMP2N60IP RMP2N60TI
描述 MOSFET TO-220 MOSFET MOSFET D-PAK MOSFET MOSFET TO-251 MOSFET MOSFET TO-220F MOSFET
厂商名称 Rectron Rectron Rectron Rectron
产品种类 MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET
技术 Si Si Si Si
安装风格 Through Hole SMD/SMT Through Hole Through Hole
封装 / 箱体 TO-220-3 TO-252-3 TO-251-3 TO-220F-3
通道数量 1 Channel 1 Channel 1 Channel 1 Channel
晶体管极性 N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vds-漏源极击穿电压 600 V 600 V 600 V 600 V
Id-连续漏极电流 2 A 2 A 2 A 2 A
Rds On-漏源导通电阻 4.5 Ohms 4.5 Ohms 4.5 Ohms 4.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压 2 V 2 V 2 V 2 V
Vgs - 栅极-源极电压 30 V 30 V 30 V 2 A
Qg-栅极电荷 14 nC 14 nC 14 nC 14 nC
最小工作温度 - 55 C - 55 C - 55 C - 55 C
最大工作温度 + 150 C + 150 C + 150 C + 150 C
Pd-功率耗散 54 W 44 W 44 W 23 W
配置 Single Single Single Single
通道模式 Enhancement Enhancement Enhancement Enhancement
封装 Tube Reel Tube Tube
晶体管类型 1 N-Channel 1 N-Channel 1 N-Channel 1 N-Channel
正向跨导 - 最小值 2 S 2 S 2 S 2 S
下降时间 45 ns 45 ns 45 ns 45 ns
上升时间 50 ns 50 ns 50 ns 50 ns
工厂包装数量 1000 2500 800 1000
典型关闭延迟时间 40 ns 40 ns 40 ns 40 ns
典型接通延迟时间 16 ns 16 ns 16 ns 16 ns
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