MOSFET TO-220 MOSFET
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Rectron |
产品种类 | MOSFET |
技术 | Si |
安装风格 | Through Hole |
封装 / 箱体 | TO-220-3 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Id-连续漏极电流 | 2 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 4.5 Ohms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
Qg-栅极电荷 | 14 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 54 W |
配置 | Single |
通道模式 | Enhancement |
封装 | Tube |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
正向跨导 - 最小值 | 2 S |
下降时间 | 45 ns |
上升时间 | 50 ns |
工厂包装数量 | 1000 |
典型关闭延迟时间 | 40 ns |
典型接通延迟时间 | 16 ns |
RMP2N60T2 | RMP2N60LD-T | RMP2N60IP | RMP2N60TI | |
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描述 | MOSFET TO-220 MOSFET | MOSFET D-PAK MOSFET | MOSFET TO-251 MOSFET | MOSFET TO-220F MOSFET |
厂商名称 | Rectron | Rectron | Rectron | Rectron |
产品种类 | MOSFET | MOSFET | MOSFET | MOSFET |
技术 | Si | Si | Si | Si |
安装风格 | Through Hole | SMD/SMT | Through Hole | Through Hole |
封装 / 箱体 | TO-220-3 | TO-252-3 | TO-251-3 | TO-220F-3 |
通道数量 | 1 Channel | 1 Channel | 1 Channel | 1 Channel |
晶体管极性 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
Id-连续漏极电流 | 2 A | 2 A | 2 A | 2 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 4.5 Ohms | 4.5 Ohms | 4.5 Ohms | 4.5 Ohms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V | 2 V | 2 V | 2 V |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V | 30 V | 30 V | 2 A |
Qg-栅极电荷 | 14 nC | 14 nC | 14 nC | 14 nC |
最小工作温度 | - 55 C | - 55 C | - 55 C | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C | + 150 C | + 150 C | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 54 W | 44 W | 44 W | 23 W |
配置 | Single | Single | Single | Single |
通道模式 | Enhancement | Enhancement | Enhancement | Enhancement |
封装 | Tube | Reel | Tube | Tube |
晶体管类型 | 1 N-Channel | 1 N-Channel | 1 N-Channel | 1 N-Channel |
正向跨导 - 最小值 | 2 S | 2 S | 2 S | 2 S |
下降时间 | 45 ns | 45 ns | 45 ns | 45 ns |
上升时间 | 50 ns | 50 ns | 50 ns | 50 ns |
工厂包装数量 | 1000 | 2500 | 800 | 1000 |
典型关闭延迟时间 | 40 ns | 40 ns | 40 ns | 40 ns |
典型接通延迟时间 | 16 ns | 16 ns | 16 ns | 16 ns |
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