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RJK6013DPE-00-J3

产品描述Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小67KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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RJK6013DPE-00-J3概述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

RJK6013DPE-00-J3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码SC-83
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)11 A
最大漏源导通电阻0.7 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)33 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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RJK6013DPE
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
REJ03G1535-0100
Rev.1.00
Apr 04, 2007
Features
Low on-resistance
Low leakage current
High speed switching
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004AE-B
(Package name: LDPAK(S)-(1) )
D
4
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
1
G
2
3
S
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body-drain diode reverse drain current
Body-drain diode reverse drain peak current
Avalanche current
Avalanche energy
Channel dissipation
Channel to case thermal impedance
Channel temperature
Storage temperature
Notes: 1. PW
10
µs,
duty cycle
1%
2. Value at Tc = 25°C
3. STch = 25°C, Tch
150°C
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D (pulse)Note1
I
DR
I
DR (pulse)Note1
I
APNote3
E
ARNote3
Pch
Note2
θch-c
Tch
Tstg
Ratings
600
±30
11
33
11
33
4
0.87
100
1.25
150
–55 to +150
Unit
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
°C/W
°C
°C
REJ03G1535-0100 Rev.1.00 Apr 04, 2007
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RJK6013DPE-00-J3相似产品对比

RJK6013DPE-00-J3 RJK6013DPE
描述 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码 SC-83 SC-83
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3
Reach Compliance Code compli compli
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V 600 V
最大漏极电流 (ID) 11 A 11 A
最大漏源导通电阻 0.7 Ω 0.7 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 33 A 33 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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