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PTFB193404F-V1-R0

产品描述射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
产品类别半导体    分立半导体    晶体管    RF晶体管    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管   
文件大小472KB,共15页
制造商Wolfspeed (Cree)
标准
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PTFB193404F-V1-R0在线购买

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PTFB193404F-V1-R0概述

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

PTFB193404F-V1-R0规格参数

参数名称属性值
厂商名称Wolfspeed (Cree)
产品种类射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性Dual N-Channel
技术Si
Vds-漏源极击穿电压65 V
Rds On-漏源导通电阻50 mOhms
增益19 dB
输出功率340 W
最大工作温度+ 225 C
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体H-37275-6/2
封装Reel
工作频率1930 MHz to 1990 MHz
类型RF Power MOSFET
通道数量2 Channel
工厂包装数量50
Vgs - 栅极-源极电压10 V

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PTFB193404F
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET
340 W, 30 V, 1930 – 1990 MHz
Description
The PTFB193404F is a 340‑watt LDMOS FET intended for use in
multi‑standard cellular power amplifier applications in the 1930 to 1990
MHz frequency band. Features include input and output matching, high
gain and thermally‑enhanced package with earless flange. Manufactured
with Wolfspeed’s advanced LDMOS process, this device provides excel‑
lent thermal performance and superior reliability.
PTFB193404F
Package H‑37275‑6/2
Two-carrier WCDMA 3GPP Drive-up
V
DD
= 30 V, I
DQ
= 2.6 A, ƒ = 1990 MHz,
3GPP WCDMA signal, PAR = 8 dB,
10 MHz carrier spacing, BW = 3.84 MHz
Features
• Broadband internal matching
• Wide video bandwidth
• Typical single‑carrier WCDMA performance,
1990 MHz, 30 V
‑ Output power = 100 W
‑ Efficiency = 33%
‑ Gain = 19 dB
‑ PAR = 7.5 dB @ 0.01% CCDF
‑ ACPR @ 5 MHz = –35 dBc
• Increased negative gate‑source voltage range
for improved performance in Doherty amplifiers
• Capable of handling 10:1 VSWR @ 30 V, 340 W
(CW) output power
• Integrated ESD protection
• Excellent thermal stability
• Pb‑free and RoHS compliant
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
36
38
40
42
44
46
48
50
52
40
25
IMD Low
ACPR
IMD Up
20
15
10
5
0
Average Output Power (dBm)
RF Characteristics
Single-carrier WCDMA Measurements
(tested in Wolfspeed test fixture)
V
DD
= 30 V, I
DQ
= 2.6 A, P
OUT
= 80 W average, ƒ = 1990 MHz,
3GPP signal, channel bandwidth = 3.84 MHz, peak/average = 10.0 dB @ 0.01% CCDF
Characteristic
Gain
Drain Efficiency
Adjacent Channel Power Ratio
All published data at T
CASE
= 25°C unless otherwise indicated
Drain Efficiency (%)
E
IMD, ACPR (dBc)
A
Efficiency
35
30
Symbol
G
ps
Min
17.5
29
Typ
19
33
–34.5
Max
–32.5
Unit
dB
%
dBc
η
D
ACPR
ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!
Rev. 06, 2018-06-25
4600 Silicon Drive | Durham, NC 27703 | www.wolfspeed.com

PTFB193404F-V1-R0相似产品对比

PTFB193404F-V1-R0 PTFB193404F-V1-R250
描述 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
厂商名称 Wolfspeed (Cree) Wolfspeed (Cree)
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性 Dual N-Channel Dual N-Channel
技术 Si Si
Vds-漏源极击穿电压 65 V 65 V
Rds On-漏源导通电阻 50 mOhms 50 mOhms
增益 19 dB 19 dB
输出功率 340 W 340 W
最大工作温度 + 225 C + 225 C
安装风格 SMD/SMT SMD/SMT
封装 / 箱体 H-37275-6/2 H-37275-6/2
封装 Reel Reel
工作频率 1930 MHz to 1990 MHz 1930 MHz to 1990 MHz
类型 RF Power MOSFET RF Power MOSFET
通道数量 2 Channel 2 Channel
工厂包装数量 50 250
Vgs - 栅极-源极电压 10 V 10 V
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