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PTFB210801FA-V1-R250

产品描述射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
产品类别半导体    分立半导体    晶体管    RF晶体管    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管   
文件大小491KB,共12页
制造商Wolfspeed (Cree)
标准
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PTFB210801FA-V1-R250在线购买

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PTFB210801FA-V1-R250概述

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

PTFB210801FA-V1-R250规格参数

参数名称属性值
厂商名称Wolfspeed (Cree)
产品种类射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性N-Channel
技术Si
Vds-漏源极击穿电压65 V
Rds On-漏源导通电阻50 mOhms
增益18.5 dB
输出功率80 W
最大工作温度+ 200 C
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体H-37265-2
封装Reel
工作频率2110 MHz to 2170 MHz
类型RF Power MOSFET
通道数量1 Channel
工厂包装数量250
Vgs - 栅极-源极电压10 V

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PTFB210801FA
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET
80 W, 28 V, 2110 – 2170 MHz
Description
The PTFB210801FA LDMOS FET is designed for use in multi-stand-
ard cellular power amplifier applications in the 2110 to 2170 MHz
frequency band. Features include input and output matching,
high gain and thermally-enhanced packages with earless flanges.
Manufactured with Wolfspeed's advanced LDMOS process, this device
provides excellent thermal performance and superior reliability.
Two-carrier WCDMA Drive-up
PTFB210801FA
Package H-37265-2
Features
• Broadband internal matching
• Typical single-carrier WCDMA performance at
2170 MHz, 28 V
- Average output power = 25 W
- Linear Gain = 18.5 dB
- Efficiency = 32.5%
- Adjacent channel power = –37 dBc
Efficiency (%)
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 750 mA,
ƒ = 2140 MHz, 10 MHz Spacing, 8dB PAR
-15
-20
Adj Lower
Adj Upper
Alt
Efficiency
45
40
35
30
25
ACPR (dBc)
-25
-30
-35
-40
-45
-50
• Typical CW performance, 2170 MHz, 28 V
- Output power at P
1dB
= 80 W
- Efficiency = 55%
• Integrated ESD protection
• Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V,
80 W (CW) output power
• Pb-free and RoHS compliant
20
15
10
5
36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48
Output Power (dBm)
RF Characteristics
Two-carrier WCDMA Measurements
(tested in Wolfspeed test fixture)
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 750 mA, P
OUT
= 20 W average, ƒ
1
= 2160 MHz, ƒ
2
= 2170 MHz, 3GPP signal, channel bandwidth = 3.84 MHz,
peak/average = 8 dB @ 0.01% CCDF
Characteristic
Gain
Drain Efficiency
Intermodulation Distortion
All published data at T
CASE
= 25°C unless otherwise indicated
ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!
Symbol
G
ps
Min
18
28
Typ
18.5
31
–30
Max
–28
Unit
dB
%
dBc
h
D
IMD
Rev. 02, 2018-06-27
4600 Silicon Drive | Durham, NC 27703 | www.wolfspeed.com

PTFB210801FA-V1-R250相似产品对比

PTFB210801FA-V1-R250 PTFB210801FA-V1-R0
描述 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
厂商名称 Wolfspeed (Cree) Wolfspeed (Cree)
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性 N-Channel N-Channel
技术 Si Si
Vds-漏源极击穿电压 65 V 65 V
Rds On-漏源导通电阻 50 mOhms 50 mOhms
增益 18.5 dB 18.5 dB
输出功率 80 W 80 W
最大工作温度 + 200 C + 200 C
安装风格 SMD/SMT SMD/SMT
封装 / 箱体 H-37265-2 H-37265-2
封装 Reel Reel
工作频率 2110 MHz to 2170 MHz 2110 MHz to 2170 MHz
类型 RF Power MOSFET RF Power MOSFET
通道数量 1 Channel 1 Channel
工厂包装数量 250 50
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