电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

PTAC260302FC-V1-R0

产品描述射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
产品类别半导体    分立半导体    晶体管    RF晶体管    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管   
文件大小473KB,共10页
制造商Wolfspeed (Cree)
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

PTAC260302FC-V1-R0在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
PTAC260302FC-V1-R0 - - 点击查看 点击购买

PTAC260302FC-V1-R0概述

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

PTAC260302FC-V1-R0规格参数

参数名称属性值
厂商名称Wolfspeed (Cree)
产品种类射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性Dual N-Channel
技术Si
Vds-漏源极击穿电压65 V
Rds On-漏源导通电阻800 mOhms
增益15.5 dB
输出功率30 W
最大工作温度+ 225 C
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体H-37248H-4
封装Reel
工作频率2620 MHz to 2690 MHz
类型RF Power MOSFET
通道数量2 Channel
工厂包装数量50
Vgs - 栅极-源极电压10 V

文档预览

下载PDF文档
PTAC260302FC
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET
30 W, 28 V, 2620 – 2690 MHz
Description
The PTAC260302FC is a 30-watt LDMOS FET intended for use in
multi-standard cellular power amplifier applications in the 2620 to
2690 MHz frequency band. This device integrates a 10-W (main)
and a 20-W (peak) transistor, making it ideal for asymmetric Doherty
amplifier designs. Features include input matching, high gain and
thermally-enhanced package with earless flange. Manufactured with
Wolfspeed's advanced LDMOS process, this device provides excellent
thermal performance and superior reliability.
PTAC260302FC
Package H-37248H-4
Single-carrier WCDMA Drive-up
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 85 mA,
ƒ = 2620, 2655, 2690 MHz,
3GPP WCDMA signal, 10 dB PAR,
3.84 MHz bandwidth
2620 MHz
2655 MHz
2690 MHz
Features
Asymmetric design
Broadband internal matching
60
50
40
30
-10
ACP Up and ACP Low (dBc)
Drain Efficiency(%)
-20
-30
-40
-50
-60
Typical CW performance, 2690 MHz, 28 V
(Doherty configuration, combined output)
- Output power @ P
3dB
= 30 W
- Efficiency = 54%
- Gain = 13 dB
Typical single-carrier WCDMA performance,
2690 MHz, 28 V, 10 dB PAR
- Output power = 37.5 dBm avg
- Gain = 15.5 dB
- Efficiency = 45%
Capable of handling 10:1 VSWR @ 32 V, 30 W
(CW) output power
Integrated ESD protection
Human Body Model Class 1B (per ANSI/ESDA/
JEDEC JS-001)
Pb-free and RoHS compliant
Efficiency
ACP Up
ACP Low
c260302f c_gr1
20
10
28
30
32
34
36
38
40
42
44
Average Output Power (dBm)
RF Characteristics
Single-carrier WCDMA Specifications
(tested in Wolfspeed Doherty test fixture)
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 85 mA, V
GS1
= 1.1 V, P
OUT
= 5.6 W avg, ƒ = 2690 MHz,
3GPP WCDMA signal, 3.84 MHz channel bandwidth, 10 dB peak/average @ 0.01% CCDF
Characteristic
Linear Gain
Drain Efficiency
Adjacent Channel Power Ratio
All published data at T
CASE
= 25°C unless otherwise indicated
Symbol
G
ps
Min
14.5
42
Typ
15.5
45
–27
Max
–25
Unit
dB
%
dBc
h
D
ACPR
ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!
Rev. 05, 2018-07-02
4600 Silicon Drive | Durham, NC 27703 | www.wolfspeed.com

PTAC260302FC-V1-R0相似产品对比

PTAC260302FC-V1-R0 PTAC260302FC-V1-R250
描述 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET RF Power Field-Effect Transistor,
2012年10月编程语言排行榜:Dart起死回生
本月编程语言Dart挤进入TIOBE排行榜前50名,占据第43名,这也是头一次Dart有这么好的表现。Dart是一门专为开发客户端Web应用而设计的编程语言。起初,谷歌推出Dart目的在于取代JavaScript。而微 ......
wstt 编程基础
16714.16714.
16714.rar16714.rar...
zhengda06 单片机
ws2812b型rgb led灯光模块测试
由于我的项目要用到灯光模块,为了简便和成本起见,直接使用以前做好的灯光模块,这个模块是通过串口和外部MCU通信,协议是可定制的,灯珠是WS2812B型RGB,自带控制器,设计原理图和开发教程可 ......
dql2016 MEMS传感器
MSP430F2370-QFN40封装是什么啊
在线求助...
拉登累 PCB设计
TX-1C型单片机实验板原理图(郭天祥)
这是一个号的资料,郭天祥老师亲自教的,现在的郭天祥已经发表啦许多视频资料,和许多产品。单片机开发板也是交给我们的资料,要的话,好好的收藏。 本帖最后由 linming123 于 2011-8-22 22:1 ......
linming123 PCB设计
高速放大器测试需要足够多的数学知识以使巴伦运转!
高速放大器测试需要足够多的数学知识以使巴伦运转!本文通过不匹配信号的数学知识揭示了相位不平衡的重要性,并说明了相位不平衡如何导致偶数阶产物的增加(即变得更糟糕!) ​​ ......
qwqwqw2088 模拟与混合信号

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1629  1224  2910  1194  2345  33  25  59  48  19 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved