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PTAC260302FC-V1-R0

产品描述射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
产品类别半导体    分立半导体    晶体管    RF晶体管    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管   
文件大小473KB,共10页
制造商Wolfspeed (Cree)
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PTAC260302FC-V1-R0概述

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

PTAC260302FC-V1-R0规格参数

参数名称属性值
厂商名称Wolfspeed (Cree)
产品种类射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性Dual N-Channel
技术Si
Vds-漏源极击穿电压65 V
Rds On-漏源导通电阻800 mOhms
增益15.5 dB
输出功率30 W
最大工作温度+ 225 C
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体H-37248H-4
封装Reel
工作频率2620 MHz to 2690 MHz
类型RF Power MOSFET
通道数量2 Channel
工厂包装数量50
Vgs - 栅极-源极电压10 V

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PTAC260302FC
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET
30 W, 28 V, 2620 – 2690 MHz
Description
The PTAC260302FC is a 30-watt LDMOS FET intended for use in
multi-standard cellular power amplifier applications in the 2620 to
2690 MHz frequency band. This device integrates a 10-W (main)
and a 20-W (peak) transistor, making it ideal for asymmetric Doherty
amplifier designs. Features include input matching, high gain and
thermally-enhanced package with earless flange. Manufactured with
Wolfspeed's advanced LDMOS process, this device provides excellent
thermal performance and superior reliability.
PTAC260302FC
Package H-37248H-4
Single-carrier WCDMA Drive-up
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 85 mA,
ƒ = 2620, 2655, 2690 MHz,
3GPP WCDMA signal, 10 dB PAR,
3.84 MHz bandwidth
2620 MHz
2655 MHz
2690 MHz
Features
Asymmetric design
Broadband internal matching
60
50
40
30
-10
ACP Up and ACP Low (dBc)
Drain Efficiency(%)
-20
-30
-40
-50
-60
Typical CW performance, 2690 MHz, 28 V
(Doherty configuration, combined output)
- Output power @ P
3dB
= 30 W
- Efficiency = 54%
- Gain = 13 dB
Typical single-carrier WCDMA performance,
2690 MHz, 28 V, 10 dB PAR
- Output power = 37.5 dBm avg
- Gain = 15.5 dB
- Efficiency = 45%
Capable of handling 10:1 VSWR @ 32 V, 30 W
(CW) output power
Integrated ESD protection
Human Body Model Class 1B (per ANSI/ESDA/
JEDEC JS-001)
Pb-free and RoHS compliant
Efficiency
ACP Up
ACP Low
c260302f c_gr1
20
10
28
30
32
34
36
38
40
42
44
Average Output Power (dBm)
RF Characteristics
Single-carrier WCDMA Specifications
(tested in Wolfspeed Doherty test fixture)
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 85 mA, V
GS1
= 1.1 V, P
OUT
= 5.6 W avg, ƒ = 2690 MHz,
3GPP WCDMA signal, 3.84 MHz channel bandwidth, 10 dB peak/average @ 0.01% CCDF
Characteristic
Linear Gain
Drain Efficiency
Adjacent Channel Power Ratio
All published data at T
CASE
= 25°C unless otherwise indicated
Symbol
G
ps
Min
14.5
42
Typ
15.5
45
–27
Max
–25
Unit
dB
%
dBc
h
D
ACPR
ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!
Rev. 05, 2018-07-02
4600 Silicon Drive | Durham, NC 27703 | www.wolfspeed.com

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