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PTVA123501EC-V2-R0

产品描述射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
产品类别半导体    分立半导体    晶体管    RF晶体管    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管   
文件大小672KB,共15页
制造商Wolfspeed (Cree)
标准
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PTVA123501EC-V2-R0在线购买

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PTVA123501EC-V2-R0概述

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

PTVA123501EC-V2-R0规格参数

参数名称属性值
厂商名称Wolfspeed (Cree)
产品种类射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性N-Channel
技术Si
Id-连续漏极电流150 mA
Vds-漏源极击穿电压105 V
Rds On-漏源导通电阻100 mOhms
增益17 dB
输出功率350 W
安装风格Screw Mount
封装 / 箱体H-36248-2
封装Reel
工作频率1200 MHz to 1400 MHz
类型RF Power MOSFET
通道数量1 Channel
工厂包装数量50
Vgs - 栅极-源极电压3.35 V

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PTVA123501EC/FC
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs
350 W, 50 V, 1200 – 1400 MHz
Description
The PTVA123501EC and PTVA123501FC LDMOS FETs are de-
signed for use in power amplifier applications in the 1200 MHz to
1400 MHz frequency band. Features include high gain and thermally-
enhanced package with slotted and earless flanges. Manufactured
with Wolfspeed's advanced LDMOS process, these devices provide
excellent thermal performance and superior reliability.
PTVA123501EC
Package H-36248-2
I
DQ
= 150 mA, V
DD
= 50 V, T
CASE
= 25°C,
300 µs pulse width, 12% duty cycle
60
55
Output Power
Power Sweep, Pulsed RF
PTVA123501FC
Package H-37248-2
80
70
Features
Broadband internal input and output matching
Drain Efficiency (%)
High gain and efficiency
Integrated ESD protection
Human Body Model Class 2 (per ANSI/ESDA/
JEDEC JS-001)
Low thermal resistance
Excellent ruggedness
Pb-free and RoHS compliant
Capable of withstanding a 10:1 load
mismatch (all phase angles) at 55.5 dBm
under pulsed conditions: 300 µs pulse width,
12% duty cycle, V
DD
= 50 V
P
OUT
(dBm)
50
45
40
35
30
Efficiency
60
50
40
30
20
1200 MHz
1300 MHz
1400 MHz
a123501ec_g1-1
30
32
34
36
38
40
42
P
IN
(dBm)
RF Characteristics
Pulsed RF Performance
(tested in Wolfspeed test fixture)
V
DD
= 50 V, I
DQ
= 0.15 A, P
OUT
= 350 W, ƒ
1
= 1200 MHz, ƒ
2
= 1300 MHz, ƒ
3
= 1400 MHz, 300 µs pulse width, 12% duty cycle
Characteristic
Gain
Drain Efficiency
Return Loss
All published data at T
CASE
= 25°C unless otherwise indicated
Symbol
G
ps
Min
16.5
54
Typ
17
55
–12
Max
–9
Unit
dB
%
dB
h
D
IRL
ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!
Rev. 06, 2018-06-19
4600 Silicon Drive | Durham, NC 27703 | www.wolfspeed.com

PTVA123501EC-V2-R0相似产品对比

PTVA123501EC-V2-R0 PTVA123501FC-V1-R250
描述 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
厂商名称 Wolfspeed (Cree) Wolfspeed (Cree)
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性 N-Channel N-Channel
技术 Si Si
Id-连续漏极电流 150 mA 150 mA
Vds-漏源极击穿电压 105 V 105 V
Rds On-漏源导通电阻 100 mOhms 100 mOhms
增益 17 dB 17 dB
输出功率 350 W 350 W
安装风格 Screw Mount Screw Mount
封装 / 箱体 H-36248-2 H-37248-2
封装 Reel Reel
工作频率 1200 MHz to 1400 MHz 1200 MHz to 1400 MHz
类型 RF Power MOSFET RF Power MOSFET
通道数量 1 Channel 1 Channel
工厂包装数量 50 250
Vgs - 栅极-源极电压 3.35 V 3.35 V
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