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RS3GHE3/9AT

产品描述整流器 400 Volt 3.0A 150ns 100 Amp IFSM
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小105KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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RS3GHE3/9AT概述

整流器 400 Volt 3.0A 150ns 100 Amp IFSM

RS3GHE3/9AT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.15 µs
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30

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RS3A, RS3B, RS3D, RS3G, RS3J, RS3K
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Surface Mount Fast Switching Rectifier
FEATURES
• Low profile package
• Ideal for automated placement
• Glass passivated pellet chip junction
• Fast switching for high efficiency
• High forward surge capability
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of
260 °C
• AEC-Q101 qualified
• Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
SMC (DO-214AB)
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
T
J
max.
Package
Diode variation
3.0 A
50 V, 100 V, 200 V, 400 V, 600 V, 800 V
100 A
150 ns, 250 ns, 500 ns
1.3 V
150 °C
SMC (DO-214AB)
Single
TYPICAL APPLICATIONS
For use in fast switching rectification of power supply,
inverters, converters, and freewheeling diodes for
consumer, automotive and telecommunication.
MECHANICAL DATA
Case:
SMC (DO-214AB)
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade
Base P/NHE3_X - RoHS-compliant and AEC-Q101 qualified
(“_X” denotes revision code e.g. A, B, .....)
Terminals:
matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test, HE3 suffix
meets JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
color band denotes cathode end
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Device marking code
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current at T
L
= 75 °C
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Operating junction and storage temperature range
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
T
J
, T
STG
SYMBOL
RS3A
RA
50
35
50
RS3B
RB
100
70
100
RS3D
RD
200
140
200
3.0
100
-55 to +150
RS3G
RG
400
280
400
RS3J
RJ
600
420
600
RS3K
RK
800
500
800
V
V
V
A
A
°C
UNIT
Revision: 27-Jul-17
Document Number: 88709
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000
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