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1N4935GP-E3/1

产品描述整流器 200 Volt 1.0A 200ns Glass Passivated
产品类别半导体    分立半导体    二极管与整流器    整流器   
文件大小93KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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1N4935GP-E3/1概述

整流器 200 Volt 1.0A 200ns Glass Passivated

1N4935GP-E3/1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Vishay(威世)
产品种类整流器
安装风格Through Hole
封装 / 箱体DO-204AL-2
Vr - 反向电压 200 V
If - 正向电流1 A
类型Standard Recovery Rectifiers
配置Single
Vf - 正向电压1.2 V
最大浪涌电流30 A
Ir - 反向电流 5 uA
恢复时间200 ns
最小工作温度- 65 C
最大工作温度+ 175 C
封装Bulk
高度2.7 mm
长度5.2 mm
产品Rectifiers
宽度2.7 mm
工厂包装数量5000
单位重量330 mg

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1N4933GP, 1N4934GP, 1N4935GP, 1N4936GP, 1N4937GP
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Glass Passivated Junction Fast Switching Plastic Rectifier
FEATURES
• Superectifier structure for high reliability condition
• Cavity-free glass-passivated junction
• Fast switching for high efficiency
• Low leakage current
• High forward surge capability
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
• Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
SUPERECTIFIER
®
DO-204AL (DO-41)
TYPICAL APPLICATIONS
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
t
rr
I
R
V
F
T
J
max.
Package
Diode variation
1.0 A
50 V, 100 V, 200 V, 400 V, 600 V
30 A
200 ns
5.0 μA
1.2 V
175 °C
DO-204AL (DO-41)
Single die
For use in fast switching rectification of power supply,
inverters, converters and freewheeling diodes for consumer
and telecommunication.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-204AL, molded epoxy over glass body
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test
Polarity:
Color band denotes cathode end
per
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375" (9.5 mm) lead length at T
A
= 75 °C
Peak forward surge current 8.3 ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Operating junction and storage temperature range
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
T
J
, T
STG
1N4933GP
50
35
50
1N4934GP
100
70
100
1N4935GP
200
145
200
1.0
30
-65 to +175
1N4936GP
400
280
400
1N4937GP
600
420
600
UNIT
V
V
V
A
A
°C
Revision: 07-Nov-16
Document Number: 88509
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000
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