2009-09-30
GaAlAs Infrared Emitter (880 nm)
GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm)
Version 1.0
SFH 487
Features:
•
•
•
•
•
•
Very highly efficient GaAlAs-LED
High reliability
UL version available
High pulse handling capability
Good spectral match to silicon photodetectors
Same package as SFH 309, SFH 409
•
•
•
•
•
•
Besondere Merkmale:
GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
Hohe Zuverlässigkeit
UL Version erhältlich
Hohe Impulsbelastbarkeit
Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
Same package as SFH 309, SFH 409
• IR remote control of hi-fi and TV-sets, video tape
recorders, dimmers
• Light-reflection switches (max. 500 kHz)
• Coin counters
• Sensor technology
• Smoke detectors
• Discrete optocouplers
Applications
• IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk- und
Videogeräten, Lichtdimmern
• Lichtschranken bis 500 kHz
• Münzzähler
• Sensorik
• Rauchmelder
• Diskrete Optokoppler
Anwendungen
Notes
Depending on the mode of operation, these devices
emit highly concentrated non visible infrared light
which can be hazardous to the human eye. Products
which incorporate these devices have to follow the
safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC
62471.
Hinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare
Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das
menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese
Bauteile enthalten, müssen gemäß den
Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und
62471 behandelt werden.
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Version 1.0
Characteristics
(T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
Emission wavelength
Zentrale Emissionswellenlänge
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Spectral bandwidth at 50% of I
max
Spektrale Bandbreite bei 50% von I
max
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Half angle
Halbwinkel
Active chip area
Aktive Chipfläche
Dimensions of active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Distance chip surface to lens top
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Rise and fall times of I
e
( 10% and 90% of I
e max
)
Schaltzeiten von I
e
( 10% und 90% von I
e max
)
(I
F
= 100 mA, R
L
= 50
Ω)
Capacitance
Kapazität
(V
R
= 0 V, f = 1 MHz)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 1 A, t
p
= 100
μs)
Reverse current
Sperrstrom
(V
R
= 5 V)
Total radiant flux
Gesamtstrahlungsfluss
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Symbol
Symbol
λ
peak
Values
Werte
880
SFH 487
Unit
Einheit
nm
Δλ
80
nm
ϕ
A
LxW
H
t
r
/ t
f
± 20
0.09
0.3 x 0.3
2.6
600 / 500
°
mm
2
mm x
mm
mm
ns
C
0
15
pF
V
F
1.5 (≤ 1.8)
V
V
F
3 (≤ 3.8)
V
I
R
0.01 (≤ 1)
µA
Φ
e
25
mW
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3
Version 1.0
Parameter
Bezeichnung
Temperature coefficient of I
e
or
Φ
e
Temperaturkoeffizient von I
e
bzw.
Φ
e
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Temperature coefficient of V
F
Temperaturkoeffizient von V
F
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Temperature coefficient of wavelength
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Grouping
(T
A
= 25 °C)
Gruppierung
Group
Gruppe
Min Radiant Intensity
Min Strahlstärke
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
I
e, min
[mW / sr]
SFH 487-1
SFH 487-2
SFH 487-3
Note:
Anm.:
SFH 487
Symbol
Symbol
TC
I
Values
Werte
-0.5
Unit
Einheit
%/K
TC
V
-2
mV / K
TC
λ
0.25
nm / K
Max Radiant Intensity
Max Strahlstärke
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
I
e, max
[mW / sr]
25
80
125
Typ Radiant Intensity
Typ Strahlstärke
I
F
= 1 A, t
p
= 100
μs
I
e, typ
[mW / sr]
270
12.5
20
31
measured at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
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4
模拟电子
京公网安备 11010802033920号
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