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EGP10AHE3/73

产品描述整流器 50 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小96KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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EGP10AHE3/73概述

整流器 50 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated

EGP10AHE3/73规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码DO-41
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.95 V
JEDEC-95代码DO-204AL
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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EGP10A, EGP10B, EGP10C, EGP10D, EGP10F, EGP10G
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Glass Passivated Ultrafast Plastic Rectifier
FEATURES
• Superectifier structure for high reliability condition
• Cavity-free glass-passivated junction
• Ultrafast reverse recovery time
• Low forward voltage drop
• Low leakage current
• Low switching losses, high efficiency
• High forward surge capability
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
• Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
SUPERECTIFIER
®
DO-204AL (DO-41)
TYPICAL APPLICATIONS
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
T
J
max.
Package
Diode variations
1.0 A
50 V, 100 V, 150 V, 200 V, 300 V, 400 V
30 A
50 ns
0.95 V, 1.25 V
150 °C
DO-204AL (DO-41)
Single die
For use in high frequency rectification and freewheeling
application in switching mode converters and inverters for
consumer, computer and telecommunication.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-204AL, molded epoxy over glass body
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test
Polarity:
Color band denotes cathode end
per
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375" (9.5 mm) lead length at T
A
= 55 °C
Peak forward surge current 8.3 ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Operating junction and storage temperature range
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
T
J
, T
STG
EGP10A
50
35
50
EGP10B
100
70
100
EGP10C
150
105
150
1.0
30
-65 to +150
EGP10D
200
140
200
EGP10F
300
210
300
EGP10G
400
280
400
UNIT
V
V
V
A
A
°C
Revision: 09-Jun-16
Document Number: 88582
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
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