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RSFJLHRQ

产品描述整流器 0,5A, 600V, SMF FAST RECOVERY
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小352KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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RSFJLHRQ概述

整流器 0,5A, 600V, SMF FAST RECOVERY

RSFJLHRQ规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明SMA, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.25 µs
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30

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RSFAL - RSFML
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
0.5A, 50V - 1000V Surface Mount Fast Recovery Rectifiers
FEATURES
- Glass passivated junction chip
- Ideal for automated placement
- High temperature metallurgically bonded construction
- Fast switching for high efficiency
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Sub SMA
MECHANICAL DATA
Case:
Sub SMA
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020
Part No. with suffix "H" means AEC-Q101 qualified
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
Indicated by cathode band
Weight:
0.019 g (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Marking code
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@ 0.5 A
Maximum reverse current @ rated V
R
Typical junction capacitance (Note 2)
Maximum reverse recovery time (Note 3)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
Note 2: Measured at 1 MHz and Applied VR=4.0 Volts.
Note 3: Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
T
J
=25°C
T
J
=125°C
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
t
rr
R
θJC
R
θJA
T
J
T
STG
150
32
150
- 55 to +150
- 55 to +150
SYMBOL
RSF
AL
FAL
50
35
50
RSF
BL
FBL
100
70
100
RSF
DL
FDL
200
140
200
RSF
GL
FGL
400
280
400
0.5
10
1.3
5
50
4
250
500
RSF
JL
FJL
600
420
600
RSF
KL
FKL
800
560
800
RSF
ML
FML
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
μA
pF
ns
°C/W
°C
°C
UNIT
Document Number: DS_D1410008
Version: L15
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