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SM8S33AHE3/2E

产品描述ESD 抑制器/TVS 二极管 8.0W 33V 5% Unidir AEC-Q101 Qualified
产品类别电路保护    ESD 抑制器/TVS 二极管   
文件大小125KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SM8S33AHE3/2E概述

ESD 抑制器/TVS 二极管 8.0W 33V 5% Unidir AEC-Q101 Qualified

SM8S33AHE3/2E规格参数

参数名称属性值
厂商名称Vishay(威世)
产品种类ESD 抑制器/TVS 二极管
系列SM8S_A
极性Unidirectional
端接类型SMD/SMT
击穿电压36.7 V
工作电压33 V
钳位电压53.3 V
封装 / 箱体DO-218AB-2
Pd-功率耗散6.6 kW
最小工作温度- 55 C
最大工作温度+ 175 C
资格AEC-Q101
封装Cut Tape
封装MouseReel
封装Reel
工厂包装数量750
单位重量2.600 g

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SM8S10A thru SM8S43A
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Surface Mount PAR
®
Transient Voltage Suppressors
High Temperature Stability and High Reliability Conditions
FEATURES
• Junction passivation optimized design passivated
anisotropic rectifier technology
• T
J
= 175 °C capability suitable for high reliability
and automotive requirement
• Available in uni-directional polarity only
• Low leakage current
• Low forward voltage drop
• High surge capability
• Meets ISO7637-2 surge specification (varied by test
condition)
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of
245 °C
• AEC-Q101 qualified
• Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
DO-218AB
PRIMARY CHARACTERISTICS
V
BR
V
WM
P
PPM
(10 x 1000 μs)
P
PPM
(10 x 10 000 μs)
P
D
I
FSM
T
J
max.
Polarity
Package
11.1 V to 52.8 V
10 V to 43 V
6600 W
5200 W
8W
700 A
175 °C
Uni-directional
DO-218AB
TYPICAL APPLICATIONS
Use in sensitive electronics protection against voltage
transients induced by inductive load switching and lighting,
especially for automotive load dump protection application.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-218AB
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/NHE3_X - RoHS-compliant and AEC-Q101 qualified
(“X” denotes revision code e.g. A, B, ...)
Terminals:
matte tin plated leads, solderable
J-STD-002 and JESD 22-B102
HE3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
heatsink is anode
per
MAXIMUM RATINGS
(T
C
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Peak pulse power dissipation
with 10/1000 μs waveform
with 10/10 000 μs waveform
SYMBOL
P
PPM
P
D
I
PPM (1)
I
FSM
T
J
, T
STG
VALUE
6600
5200
8.0
See next table
700
-55 to +175
UNIT
W
W
A
A
°C
Power dissipation on infinite heatsink at T
C
= 25 °C (fig. 1)
Peak pulse current with 10/1000 μs waveform
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
Operating junction and storage temperature range
Note
(1)
Non-repetitive current pulse derated above T = 25 °C
A
Revision: 04-Nov-16
Document Number: 88387
1
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