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SMBG100-E3/5B

产品描述ESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 625-SMBG100A-E3
产品类别电路保护    ESD 抑制器/TVS 二极管   
文件大小119KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SMBG100-E3/5B概述

ESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 625-SMBG100A-E3

SMBG100-E3/5B规格参数

参数名称属性值
厂商名称Vishay(威世)
产品种类ESD 抑制器/TVS 二极管
系列SMBG
极性Unidirectional
端接类型SMD/SMT
击穿电压111 V
工作电压100 V
钳位电压179 V
封装 / 箱体DO-215AA-2 (SMBG)
峰值脉冲功耗 (Pppm)600 W
最小工作温度- 55 C
最大工作温度+ 150 C
封装Cut Tape
封装Reel
工厂包装数量3200
单位重量96 mg

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SMBG5.0A thru SMBG188CA
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Surface Mount T
RANS
Z
ORB®
Transient Voltage Suppressors
FEATURES
Low profile package
Ideal for automated placement
Glass passivated chip junction
Available in uni-directional and bi-directional
600 W peak pulse power capability with a
10/1000 μs waveform, repetitive rate
(duty cycle): 0.01 %
Excellent clamping capability
Very fast response time
Low incremental surge resistance
Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak
of 260 °C
AEC-Q101 qualified
Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
SMBG (DO-215AA)
PRIMARY CHARACTERISTICS
V
WM
V
BR
(uni-directional)
V
BR
(bi-directional)
P
PPM
I
FSM
(uni-directional only)
T
J
max.
Polarity
Package
5.0 V to 188 V
6.4 V to 231 V
6.4 V to 231 V
600 W
100 A
150 °C
Uni-directional, bi-directional
SMBG (DO-215AA)
TYPICAL APPLICATIONS
Use in sensitive electronics protection against voltage
transients induced by inductive load switching and lighting
on ICs, MOSFET, signal lines of sensor units for consumer,
computer, industrial, automotive, and telecommunication.
MECHANICAL DATA
Case:
SMBG (DO-215AA)
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, industrial grade
Base P/NHE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified
Terminals:
matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test, HE3 suffix
meets JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
for uni-directional types the band denotes cathode
end, no marking on bi-directional types
DEVICES FOR BI-DIRECTION APPLICATIONS
For bi-directional devices use CA suffix (e.g. SMBG10CA).
Electrical characteristics apply in both directions.
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Peak pulse power dissipation with a 10/1000 μs waveform
(1)(2)
(fig. 1)
Peak pulse current with a 10/1000 μs waveform
(1)
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave uni-directional only
(2)
Operating junction and storage temperature range
Notes
(1)
Non-repetitive current pulse, per fig. 3 and derated above T = 25 °C per fig. 2
A
(2)
Mounted on 0.2" x 0.2" (5.0 mm x 5.0 mm) copper pads to each terminal
SYMBOL
P
PPM
I
PPM
I
FSM
T
J
, T
STG
VALUE
600
See next table
100
-55 to +150
UNIT
W
A
A
°C
Revision: 16-Jan-18
Document Number: 88456
1
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