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RN1105F

产品描述Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小570KB,共8页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN1105F概述

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

RN1105F规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.36
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)80
JESD-30 代码R-PDSO-F3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz

RN1105F相似产品对比

RN1105F RN1101F RN1101F_07 RN1102F RN1103F RN1106F RN1104F
描述 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
是否Rohs认证 不符合 不符合 - 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) - Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数 3 3 - 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow - unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.36 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 - BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A - 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V - 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR - SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 80 30 - 50 70 80 80
JESD-30 代码 R-PDSO-F3 R-PDSO-F3 - R-PDSO-F3 R-PDSO-F3 R-PDSO-F3 R-PDSO-F3
JESD-609代码 e0 e0 - e0 e0 - e0
元件数量 1 1 - 1 1 1 1
端子数量 3 3 - 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN - NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.1 W 0.1 W - 0.1 W 0.1 W 0.1 W 0.1 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES - YES YES YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD - TIN LEAD TIN LEAD - TIN LEAD
端子形式 FLAT FLAT - FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL - DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING - SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON - SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz - 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
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