MOSFET 380 mOhm 650V Superjunction Power MOSFET in TO-220
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | D3 |
产品种类 | MOSFET |
技术 | Si |
安装风格 | Through Hole |
封装 / 箱体 | TO-220-3 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
Id-连续漏极电流 | 9.2 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 350 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.3 V |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
Qg-栅极电荷 | 16.2 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 73 W |
配置 | Single |
通道模式 | Enhancement |
封装 | Tube |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
下降时间 | 21 ns |
上升时间 | 20 ns |
工厂包装数量 | 50 |
典型关闭延迟时间 | 35 ns |
典型接通延迟时间 | 10.5 ns |
单位重量 | 1.800 g |
D3S380N65B-U | D3S380N65F-U | D3S380N65E-T | |
---|---|---|---|
描述 | MOSFET 380 mOhm 650V Superjunction Power MOSFET in TO-220 | MOSFET 380 mOhm 650V Superjunction Power MOSFET in TO-220 FullPak | MOSFET 380 mOhm 650V |
厂商名称 | D3 | D3 | D3 |
产品种类 | MOSFET | MOSFET | MOSFET |
技术 | Si | Si | Si |
工厂包装数量 | 50 | 50 | 800 |
安装风格 | Through Hole | Through Hole | - |
封装 / 箱体 | TO-220-3 | TO-220FP-3 | - |
通道数量 | 1 Channel | - | 1 Channel |
晶体管极性 | N-Channel | - | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V | - | 650 V |
Id-连续漏极电流 | 9.2 A | - | 8.5 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 350 mOhms | - | 380 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.3 V | - | 2.3 V |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V | - | 30 V |
Qg-栅极电荷 | 16.2 nC | - | 15.4 nC |
最小工作温度 | - 55 C | - | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C | - | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 73 W | - | 62 W |
配置 | Single | - | Single |
通道模式 | Enhancement | - | Enhancement |
封装 | Tube | Tube | Reel |
晶体管类型 | 1 N-Channel | - | 1 N-Channel |
下降时间 | 21 ns | - | 21 ns |
上升时间 | 20 ns | - | 20 ns |
典型关闭延迟时间 | 35 ns | - | 35 ns |
典型接通延迟时间 | 10.5 ns | - | 10.5 ns |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved