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D3S380N65B-U

产品描述MOSFET 380 mOhm 650V Superjunction Power MOSFET in TO-220
产品类别半导体    分立半导体    晶体管    MOSFET   
文件大小991KB,共10页
制造商D3
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D3S380N65B-U概述

MOSFET 380 mOhm 650V Superjunction Power MOSFET in TO-220

D3S380N65B-U规格参数

参数名称属性值
厂商名称D3
产品种类MOSFET
技术Si
安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-220-3
通道数量1 Channel
晶体管极性N-Channel
Vds-漏源极击穿电压650 V
Id-连续漏极电流9.2 A
Rds On-漏源导通电阻350 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压30 V
Qg-栅极电荷16.2 nC
最小工作温度- 55 C
最大工作温度+ 150 C
Pd-功率耗散73 W
配置Single
通道模式Enhancement
封装Tube
晶体管类型1 N-Channel
下降时间21 ns
上升时间20 ns
工厂包装数量50
典型关闭延迟时间35 ns
典型接通延迟时间10.5 ns
单位重量1.800 g

D3S380N65B-U相似产品对比

D3S380N65B-U D3S380N65F-U D3S380N65E-T
描述 MOSFET 380 mOhm 650V Superjunction Power MOSFET in TO-220 MOSFET 380 mOhm 650V Superjunction Power MOSFET in TO-220 FullPak MOSFET 380 mOhm 650V
厂商名称 D3 D3 D3
产品种类 MOSFET MOSFET MOSFET
技术 Si Si Si
工厂包装数量 50 50 800
安装风格 Through Hole Through Hole -
封装 / 箱体 TO-220-3 TO-220FP-3 -
通道数量 1 Channel - 1 Channel
晶体管极性 N-Channel - N-Channel
Vds-漏源极击穿电压 650 V - 650 V
Id-连续漏极电流 9.2 A - 8.5 A
Rds On-漏源导通电阻 350 mOhms - 380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压 2.3 V - 2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压 30 V - 30 V
Qg-栅极电荷 16.2 nC - 15.4 nC
最小工作温度 - 55 C - - 55 C
最大工作温度 + 150 C - + 150 C
Pd-功率耗散 73 W - 62 W
配置 Single - Single
通道模式 Enhancement - Enhancement
封装 Tube Tube Reel
晶体管类型 1 N-Channel - 1 N-Channel
下降时间 21 ns - 21 ns
上升时间 20 ns - 20 ns
典型关闭延迟时间 35 ns - 35 ns
典型接通延迟时间 10.5 ns - 10.5 ns

 
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