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BF 1005S E6433

产品描述射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
产品类别半导体    分立半导体    晶体管    RF晶体管    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管   
文件大小81KB,共8页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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BF 1005S E6433概述

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode

BF 1005S E6433规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
产品种类射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性N-Channel
技术Si
Id-连续漏极电流25 mA
Vds-漏源极击穿电压8 V
最小工作温度- 55 C
最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOT-143
封装Cut Tape
封装Reel
配置Single Dual Gate
高度1 mm
长度2.9 mm
类型RF Small Signal MOSFET
宽度1.3 mm
Pd-功率耗散200 mW
工厂包装数量10000
Vgs - 栅极-源极电压3 V

BF 1005S E6433相似产品对比

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