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SF11 R0G

产品描述整流器 1A, 50V, 35NS, SUPER FAST RECTIFIER
产品类别半导体    分立半导体    二极管与整流器    整流器   
文件大小485KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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SF11 R0G概述

整流器 1A, 50V, 35NS, SUPER FAST RECTIFIER

SF11 R0G规格参数

参数名称属性值
厂商名称Taiwan Semiconductor
产品种类整流器
安装风格Through Hole
封装 / 箱体DO-204AL-2
Vr - 反向电压 50 V
If - 正向电流1 A
类型Fast Recovery Rectifiers
配置Single
Vf - 正向电压0.95 V
最大浪涌电流30 A
Ir - 反向电流 5 uA
恢复时间35 ns
最小工作温度- 55 C
最大工作温度+ 125 C
系列SF1x
封装Cut Tape
封装Reel
产品Rectifiers
工厂包装数量5000
单位重量332 mg

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SF11 thru SF18
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
FEATURES
- High efficiency, low VF
- High current capability
- High reliability
- Low power loss
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Super Fast Rectifiers
MECHANICAL DATA
Case:
DO-204AL (DO-41)
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free)
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test
Weight:
0.33 g (approximately)
DO-204AL (DO-41)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25℃ unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@1A
Maximum reverse current @ rated VR
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
ed
SF
12
70
SF
13
SF
14
SF
15
300
210
300
1
30
100
100
150
150
200
200
105
140
0.95
5
100
35
30
70
- 55 to +125
- 55 to +150
nd
11
50
35
50
SF
SF
16
400
280
400
SF
17
500
350
500
SF
18
600
420
600
UNIT
V
V
V
A
A
eco
mm
e
Trr
Cj
R
θJA
T
J
T
STG
1.3
1.7
V
μA
ns
Maximum reverse recovery time (Note 2)
Typical junction capacitance (Note 3)
Typical thermal resistance
tR
T
J
=25
T
J
=100
15
O
pF
C/W
O
O
Operating junction temperature range
Storage temperature range
No
C
C
Note 1: Pulse Test with PW=300μs, 1% Duty Cycle
Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.
Document Number: DS_D1401004
Version: F14

 
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