NPN Silicon Germanium Transistor High Frequency Low Noise Amplifier
参数名称 | 属性值 |
零件包装代码 | SC-82AB |
包装说明 | 2 X 1.25 MM, 1.10 MM HEIGHT, SC-82AB, CMPAK-4 |
针数 | 4 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
最大集电极电流 (IC) | 0.035 A |
集电极-发射极最大电压 | 3.5 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 100 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | NPN |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON GERMANIUM |
标称过渡频率 (fT) | 36000 MHz |
Base Number Matches | 1 |
RQG1003UQ-TL-E | RQG1003UQAQF | |
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描述 | NPN Silicon Germanium Transistor High Frequency Low Noise Amplifier | NPN Silicon Germanium Transistor High Frequency Low Noise Amplifier |
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