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RQG1003UQ-TL-E

产品描述NPN Silicon Germanium Transistor High Frequency Low Noise Amplifier
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小305KB,共17页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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RQG1003UQ-TL-E概述

NPN Silicon Germanium Transistor High Frequency Low Noise Amplifier

RQG1003UQ-TL-E规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SC-82AB
包装说明2 X 1.25 MM, 1.10 MM HEIGHT, SC-82AB, CMPAK-4
针数4
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.035 A
集电极-发射极最大电压3.5 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)36000 MHz
Base Number Matches1

RQG1003UQ-TL-E相似产品对比

RQG1003UQ-TL-E RQG1003UQAQF
描述 NPN Silicon Germanium Transistor High Frequency Low Noise Amplifier NPN Silicon Germanium Transistor High Frequency Low Noise Amplifier

 
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