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RMP4N60LD-T

产品描述MOSFET D-PAK MOSFET
产品类别半导体    分立半导体    晶体管    MOSFET   
文件大小2MB,共12页
制造商Rectron
标准
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RMP4N60LD-T概述

MOSFET D-PAK MOSFET

RMP4N60LD-T规格参数

参数名称属性值
厂商名称Rectron
产品种类MOSFET
技术Si
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TO-252-3
通道数量1 Channel
晶体管极性N-Channel
Vds-漏源极击穿电压600 V
Id-连续漏极电流4 A
Rds On-漏源导通电阻2.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压2 V
Vgs - 栅极-源极电压30 V
Qg-栅极电荷20 nC
最小工作温度- 55 C
最大工作温度+ 150 C
Pd-功率耗散51 W
配置Single
通道模式Enhancement
封装Reel
晶体管类型1 N-Channel
正向跨导 - 最小值4 S
下降时间38 ns
上升时间48 ns
工厂包装数量2500
典型关闭延迟时间48 ns
典型接通延迟时间16 ns

RMP4N60LD-T相似产品对比

RMP4N60LD-T RMP4N60T2 RMP4N60TI RMP4N60IP
描述 MOSFET D-PAK MOSFET MOSFET TO-220 MOSFET MOSFET TO-220F MOSFET MOSFET TO-251 MOSFET
厂商名称 Rectron Rectron Rectron Rectron
产品种类 MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET
技术 Si Si Si Si
安装风格 SMD/SMT Through Hole Through Hole Through Hole
封装 / 箱体 TO-252-3 TO-220-3 TO-220F-3 TO-251-3
通道数量 1 Channel 1 Channel 1 Channel 1 Channel
晶体管极性 N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vds-漏源极击穿电压 600 V 600 V 600 V 600 V
Id-连续漏极电流 4 A 4 A 4 A 4 A
Rds On-漏源导通电阻 2.5 Ohms 2.5 Ohms 2.5 Ohms 2.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压 2 V 2 V 2 V 2 V
Vgs - 栅极-源极电压 30 V 30 V 30 V 30 V
Qg-栅极电荷 20 nC 20 nC 20 nC 20 nC
最小工作温度 - 55 C - 55 C - 55 C - 55 C
最大工作温度 + 150 C + 150 C + 150 C + 150 C
Pd-功率耗散 51 W 100 W 33 W 51 W
配置 Single Single Single Single
通道模式 Enhancement Enhancement Enhancement Enhancement
封装 Reel Tube Tube Tube
晶体管类型 1 N-Channel 1 N-Channel 1 N-Channel 1 N-Channel
正向跨导 - 最小值 4 S 4 S 4 S 4 S
下降时间 38 ns 38 ns 38 ns 38 ns
上升时间 48 ns 48 ns 48 ns 48 ns
工厂包装数量 2500 1000 1000 800
典型关闭延迟时间 48 ns 48 ns 48 ns 48 ns
典型接通延迟时间 16 ns 16 ns 16 ns 16 ns

 
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