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TST20U45C C0G

产品描述肖特基二极管与整流器 Dual Trench schottky 20amp 45v
产品类别半导体    分立半导体    二极管与整流器    肖特基二极管与整流器   
文件大小235KB,共5页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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TST20U45C C0G概述

肖特基二极管与整流器 Dual Trench schottky 20amp 45v

TST20U45C C0G规格参数

参数名称属性值
厂商名称Taiwan Semiconductor
产品种类肖特基二极管与整流器
产品Schottky Rectifiers
安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-220-3
If - 正向电流20 A
Vrrm - 重复反向电压45 V
Vf - 正向电压0.6 V
Ifsm - 正向浪涌电流120 A
配置Dual Common Anode
技术Si
Ir - 反向电流 300 uA
最小工作温度- 55 C
最大工作温度+ 150 C
封装Tube
工厂包装数量2000
单位重量1.800 g

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creat by ART
TST20U45C thru TST20U60C
Taiwan Semiconductor
Trench Schottky Rectifier
FEATURES
- Patented Trench Schottky technology
- Excellent high temperature stability
- Low forward voltage
- Low power loss/ high efficiency
- High forward surge capability
- Compliant to RoHS directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
TO-220AB
TYPICAL APPLICATIONS
Trench Schottky barrier rectifier are designed for high frequency
miniature switched mode power supplies such as adapters, lighting
and on-board DC/DC converters.
MECHANICAL DATA
Case:
TO-220AB
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
As marked
Mounting torque:
0.56 Nm max.
Weight:
1.88g (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum average forward rectified
current
per device
per diode
SYMBOL
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
dV/dt
TYP.
I
F
= 10A
Instantaneous forward voltage per diode
( Note 1 )
I
F
= 20A
I
F
= 10A
I
F
= 20A
Maximum instantaneous reverse current per diode at
rated reverse voltage
Typical thermal resistance per diode
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with pulse width = 300μs, 1% duty cycle
T
J
= 25°C
V
F
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
R
R
θJC
T
J
T
STG
2
- 55 to +150
- 55 to +150
-
-
0.39
-
0.53
0.60
0.44
0.55
300
60
2.4
TST20U45C
45
20
10
120
10000
MAX.
TYP.
-
-
0.43
-
MAX.
0.54
0.63
0.48
0.61
μA
mA
°C/W
°C
°C
V
TST20U60C
60
UNIT
V
A
A
V/μs
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load per diode
Voltage rate of change (rated VR)
Document Number: DS_D1412012
Version: C14
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