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TSF10U60C C0

产品描述肖特基二极管与整流器 Dual Trench schottky 10amp 60v
产品类别半导体    分立半导体    二极管与整流器    肖特基二极管与整流器   
文件大小197KB,共5页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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TSF10U60C C0概述

肖特基二极管与整流器 Dual Trench schottky 10amp 60v

TSF10U60C C0规格参数

参数名称属性值
厂商名称Taiwan Semiconductor
产品种类肖特基二极管与整流器
产品Schottky Rectifiers
安装风格Through Hole
封装 / 箱体ITO-220AB-3
If - 正向电流10 A
Vrrm - 重复反向电压60 V
Vf - 正向电压0.54 V
Ifsm - 正向浪涌电流150 A
配置Dual Common Cathode
技术Si
Ir - 反向电流 500 uA
最小工作温度- 55 C
最大工作温度+ 150 C
封装Tube
工厂包装数量2000
单位重量1.700 g

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TSF10U60C
Taiwan Semiconductor
FEATURES
- Patented Trench Schottky technology
- Excellent high temperature stability
- Low forward voltage
- Lower power loss/ high efficiency
- High forward surge capability
- Compliant to RoHS directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Trench Schottky Rectifier
ITO-220AB
MECHANICAL DATA
Case:
ITO-220AB
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
As marked
Mounting torque:
0.56 Nm max.
Weight:
1.7g (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum average forward rectified
current
per device
per diode
SYMBOL
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
dV/dt
V
AC
V
BR
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
R
R
θJC
T
J
T
STG
Min.
60
-
V
F
-
-
-
-
TSF10U60C
60
10
5
150
10000
2000
TYP.
-
0.44
0.54
0.39
-
-
4
- 55 to +150
- 55 to +150
MAX.
-
0.48
0.62
0.42
500
100
μA
mA
°C/W
°C
°C
V
V
UNIT
V
A
A
V/μs
V
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load per diode
Voltage rate of change (rated VR)
Isolation voltage from terminal to heatsink t = 1 min
Breakdown voltage ( I
R
=1.0mA, Ta =25°C )
Maximum instantaneous forward voltage
per diode (Note1)
I
F
= 5A
I
F
= 10A
I
F
= 5A
Maximum instantaneous reverse current per diode at
rated reverse voltage
Typical thermal resistance per diode
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse Test with Pulse Width=300
μs,
1% Duty Cycle
Document Number: DS_D1411033
Version: E14
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