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SMBJ120A-E3/55

产品描述ESD 抑制器/TVS 二极管 600W 120V 5% Uni
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小109KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SMBJ120A-E3/55概述

ESD 抑制器/TVS 二极管 600W 120V 5% Uni

SMBJ120A-E3/55规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码DO-214AA
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
最大击穿电压147 V
最小击穿电压133 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压120 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层MATTE TIN
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40

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SMBJ3V3
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Surface Mount T
RANS
Z
ORB®
Transient Voltage Suppressors
FEATURES
• Uni-directional polarity only
• Peak pulse power: 600 W (10/1000 μs)
• Excellent clamping capability
• Very fast response time
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF
maximum peak of 260 °C
• AEC-Q101 qualified
• Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
TYPICAL APPLICATIONS
SMB (DO-214AA)
Use in sensitive electronics protection against voltage
transients induced by inductive load switching and lighting
on ICs, MOSFET, signal lines of sensor units specifically for
protecting 3.3 V supplied sensitive equipment against
transient overvoltages.
4.1 V
3.3 V
600 W
5W
60 A
175 °C
Uni-directional
SMB (DO-214AA)
PRIMARY CHARACTERISTICS
V
BR
(uni-directional)
V
WM
P
PPM
P
D
I
FSM
(uni-directional only)
T
J
max.
Polarity
Package
MECHANICAL DATA
Case:
SMB (DO-214AA)
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS-compliant and commercial grade
Base P/NHE3 - RoHS-compliant and AEC-Q101 qualified
Terminals:
matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test, HE3 suffix
meets JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
color band denotes cathode end
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Peak pulse power dissipation
(1)(2)
Peak pulse current with a 10/1000 μs waveform (fig. 1)
Peak pulse current with a 8/20 μs waveform (fig. 1)
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
(2)
Power dissipation on infinite heatsink, T
A
= 75 °C
Operating junction and storage temperature range
Notes
(1)
Non-repetitive current pulse, per fig. 1
(2)
Mounted on 0.2" x 0.2" (5.0 mm x 5.0 mm) copper pads to each terminal
SYMBOL
P
PPM
I
PP
I
PPM
I
FSM
P
D
T
J
, T
STG
VALUE
600
50
200
60
5
-65 to +175
UNIT
W
A
A
A
W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
DEVICE
TYPE
DEVICE
MARKING
CODE
BREAKDOWN
VOLTAGE
V
BR
AT I
T
MIN.
V
SMBJ3V3
KC
4.1
mA
1.0
MAXIMUM
REVERSE
LEAKAGE
CURRENT
I
R
AT V
WM
μA
200
TYPICAL
MAXIMUM MAXIMUM
TYPICAL
JUNCTION
STAND-OFF CLAMPING CLAMPING
TEMPERATURE
CAPACITANCE
VOLTAGE VOLTAGE
VOLTAGE
COEFFICIENT
C
J
AT 0 V
V
C
AT I
PP
V
C
AT I
PPM
V
WM
OF V
BR
1 MHz
10/1000 μs
8/20 μs
V
3.3
V
7.3
A
50
V
10.3
A
200
10
-4
/°C
-5.3
pF
5200
Revision: 16-Jan-18
Document Number: 88940
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000
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