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IPI076N12N3 G

产品描述MOSFET N-Ch 120V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
产品类别半导体    分立半导体    晶体管    MOSFET   
文件大小488KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IPI076N12N3 G概述

MOSFET N-Ch 120V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3

IPI076N12N3 G规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
产品种类MOSFET
技术Si
安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-262-3
通道数量1 Channel
晶体管极性N-Channel
Vds-漏源极击穿电压120 V
Id-连续漏极电流100 A
Rds On-漏源导通电阻7.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压20 V
Qg-栅极电荷76 nC
最小工作温度- 55 C
最大工作温度+ 175 C
Pd-功率耗散188 W
配置Single
封装Tube
高度9.45 mm
长度10.2 mm
系列OptiMOS 3
晶体管类型1 N-Channel
宽度4.5 mm
下降时间10 ns
上升时间50 nS
工厂包装数量500
典型关闭延迟时间39 nS
单位重量2.387 g
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