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MMBZ15VALFHT116

产品描述ESD 抑制器/TVS 二极管 225mW 14.25-15.75Vbr A-common SOT-23 TVS
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小1MB,共10页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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MMBZ15VALFHT116在线购买

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MMBZ15VALFHT116概述

ESD 抑制器/TVS 二极管 225mW 14.25-15.75Vbr A-common SOT-23 TVS

MMBZ15VALFHT116规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time12 weeks
Samacsys DescriptionESD Suppressors / TVS Diodes 225mW 14.25-15.75Vbr A-common SOT-23 TVS
其他特性HIGH RELIABILITY
最大击穿电压15.75 V
最小击穿电压14.25 V
配置COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散40 W
元件数量2
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.225 W
参考标准AEC-Q101; IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压12 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10

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MMBZ15VALFH
 
Transient Voltage suppressor
24
P
pp
40
W
W
(AEC-Q101 qualified)
●Outline
Data sheet
●Feature
High reliability
Small mold type
ESD protection level ±30kV (IEC61000-4-2 Contact)
●Inner
Circuit
●Application
ESD Protection
●Packaging
Specification
Packing
Reel Size(mm)
Taping Width(mm)
Embossed Tape
180
8
3000
T116
D0X
●Structure
Silicon Epitaxial Planar
Basic Ordering Unit(pcs)
Taping Code
Marking
●Absolute
Maximum Rating (T
a
=25ºC)
Parameter
Peak pulse power
Symbol
P
PP
Conditions
tp=10/1000μs
MMBZ5V6ALFH thru MMBZ10VALFH
MMBZ12VALFH thru MMBZ33VALFH
Air discharge
IEC61000-4-2
Contact
Machine model
Human body model
-
-
on Glass-epoxy substrate
on Alumina substrate
C=150pF R=330Ω
*
IEC61000-4-2
Machine model
C=200pF R=0Ω
Human body model C=100pF R=1.5kΩ
Min.
-
-
-
-
-
-
-
-65
-
-
Max.
24
40
±30
±30
±2
±8
150
150
225
300
Unit
W
W
kV
kV
V
kV
ºC
ºC
mW
mW
Electrostatic discharge voltage*
Junction temperature
Storage temperature
Power dissipation
V
ESD
T
j
T
stg
P
d
www.rohm.com
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