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S29CD016J0MFAM103

产品描述32/16 Megabit CMOS 2.6 Volt or 3.3 Volt-only Simultaneous Read/Write, Dual Boot, Burst Mode Flash Memory with VersatileI/O
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共76页
制造商SPANSION
官网地址http://www.spansion.com/
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S29CD016J0MFAM103概述

32/16 Megabit CMOS 2.6 Volt or 3.3 Volt-only Simultaneous Read/Write, Dual Boot, Burst Mode Flash Memory with VersatileI/O

S29CD016J0MFAM103规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SPANSION
零件包装代码BGA
包装说明LBGA, BGA80,8X10,40
针数80
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最长访问时间54 ns
其他特性SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; TOP BOOT BLOCK
启动块TOP
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PBGA-B80
JESD-609代码e0
长度13 mm
内存密度16777216 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度32
湿度敏感等级3
功能数量1
部门数/规模16,30
端子数量80
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX32
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA80,8X10,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源1.8/2.6,2.6 V
编程电压2.7 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.4 mm
部门规模2K,16K
最大待机电流0.00006 A
最大压摆率0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)2.75 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)2.6 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度11 mm

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