S29CD032G0MFAI010,S29CD032G0MFAI010 pdf中文资料,S29CD032G0MFAI010引脚图,S29CD032G0MFAI010电路-Datasheet-电子工程世界

S29CD032G0MFAI010: 产品描述32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O; 产品类别存储存储; 文件大小785KB，共87页; 制造商SPANSION; 官网地址http://www.spansion.com/

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S29CD032G0MFAI010概述

32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SPANSION
零件包装代码	BGA
包装说明	13 X 11 MM, 1 MM PITCH, FORTIFIED, BGA-80
针数	80
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	64 ns
其他特性	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; BOTTOM BOOT BLOCK
启动块	BOTTOM
JESD-30 代码	R-PBGA-B80
JESD-609代码	e0
长度	13 mm
内存密度	33554432 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	32
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	80
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
编程电压	2.7 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.75 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	2.6 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
类型	NOR TYPE
宽度	11 mm

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