512M X 1 FLASH 3V PROM, 110 ns, PDSO56
512M × 1 FLASH 3V 可编程只读存储器, 110 ns, PDSO56
| 参数名称 | 属性值 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 56 |
| 最大工作温度 | 85 Cel |
| 最小工作温度 | -40 Cel |
| 最大供电/工作电压 | 3.6 V |
| 最小供电/工作电压 | 2.7 V |
| 额定供电电压 | 3 V |
| 最大存取时间 | 110 ns |
| 加工封装描述 | 20 × 14 MM, 铅 FREE, MO-142EC, TSOP-56 |
| 无铅 | Yes |
| 欧盟RoHS规范 | Yes |
| 中国RoHS规范 | Yes |
| 状态 | ACTIVE |
| 包装形状 | 矩形的 |
| 包装尺寸 | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 表面贴装 | Yes |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子间距 | 0.5000 mm |
| 端子涂层 | MATTE 锡 |
| 端子位置 | 双 |
| 包装材料 | 塑料/环氧树脂 |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 内存宽度 | 1 |
| 组织 | 512M × 1 |
| 存储密度 | 5.37E8 deg |
| 操作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 位数 | 5.37E8 words |
| 位数 | 512M |
| 内存IC类型 | FLASH 3V 可编程只读存储器 |
| 串行并行 | 并行 |
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