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1N5259B

产品描述39 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小32KB,共2页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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1N5259B概述

39 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

1N5259B规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
额定工作电压39 V
加工封装描述HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子涂层锡 银
端子位置AXIAL
包装材料UNSPECIFIED
工艺ZENER
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
最大功耗极限0.5000 W
极性单向
二极管类型稳压二极管
工作测试电流3.2 mA
最大总参考电压5 %

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1N5221B - 1N5267B
500mW EPITAXIAL ZENER DIODE
Features
·
·
·
·
·
·
500mW Power Dissipation
High Stability
Low Noise
Surface Mount Equivalents Available
Hermetic Package
V
Z
- Tolerance
±5%
A
B
A
D
C
Mechanical Data
·
·
·
·
·
Case: DO-35, Glass
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Polarity: Cathode Band
Marking: Type Number
Weight: 0.13 grams (approx.)
Dim
A
B
C
D
DO-35
Min
25.40
¾
¾
¾
Max
¾
4.00
0.60
2.00
All Dimensions in mm
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Characteristic
Power Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)
Forward Voltage
@ I
F
= 200mA
P
d
R
qJA
V
F
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Value
500
300
1.1
-65 to +200
Unit
mW
°C/W
V
°C
Symbol
Operating and Storage Temperature Range
Notes:
T
j,
T
STG
1. Valid provided that leads are kept at TL
£75°C
with lead length = 9.5mm (3/8”) from case; derate above 75°C.
DS18006 Rev. 14 - 2
1 of 2
1N5221B - 1N5267B
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