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S29GL512P11FAI013

产品描述1G X 1 FLASH 3V PROM, 110 ns, PDSO56
产品类别存储    存储   
文件大小981KB,共71页
制造商SPANSION
官网地址http://www.spansion.com/
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供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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S29GL512P11FAI013概述

1G X 1 FLASH 3V PROM, 110 ns, PDSO56

1G × 1 FLASH 3V 可编程只读存储器, 110 ns, PDSO56

S29GL512P11FAI013规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码BGA
包装说明13 X 11 MM, 1 MM PITCH, FBGA-64
针数64
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间110 ns
备用内存宽度8
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PBGA-B64
JESD-609代码e0
长度13 mm
内存密度536870912 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度1
湿度敏感等级3
功能数量1
部门数/规模512
端子数量64
字数536870912 words
字数代码512000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512MX1
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA64,8X8,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
页面大小8/16 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.4 mm
部门规模128K
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度11 mm
Base Number Matches1
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