110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | SPANSION |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | 9.20 X 8 MM, LEAD FREE, FBGA-44 |
| 针数 | 44 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | 3A991.B.1.A |
| 最长访问时间 | 65 ns |
| 其他特性 | SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE |
| 启动块 | TOP |
| 命令用户界面 | YES |
| 通用闪存接口 | YES |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B44 |
| JESD-609代码 | e2 |
| 长度 | 9.2 mm |
| 内存密度 | 67108864 bi |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 16 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 部门数/规模 | 4,127 |
| 端子数量 | 44 |
| 字数 | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -25 °C |
| 组织 | 4MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VFBGA |
| 封装等效代码 | BGA44,8X14,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 1.8 V |
| 编程电压 | 1.8 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 就绪/忙碌 | YES |
| 座面最大高度 | 1 mm |
| 部门规模 | 8K,32K |
| 最大待机电流 | 0.00004 A |
| 最大压摆率 | 0.06 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子面层 | Tin/Silver/Copper/Nickel (Sn/Ag/Cu/Ni) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 切换位 | YES |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 8 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 45 ms |
WindowsCE
嵌入式系统
PCB设计
国产芯片交流
ARM技术
嵌入式系统
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
