110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | FBGA, BGA48,12X18,20 |
Reach Compliance Code | unknow |
最长访问时间 | 65 ns |
启动块 | TOP |
命令用户界面 | YES |
通用闪存接口 | YES |
数据轮询 | YES |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B48 |
JESD-609代码 | e2 |
内存密度 | 134217728 bi |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 16 |
湿度敏感等级 | 3 |
部门数/规模 | 4,255 |
端子数量 | 48 |
字数 | 8388608 words |
字数代码 | 8000000 |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -25 °C |
组织 | 8MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | FBGA |
封装等效代码 | BGA48,12X18,20 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, FINE PITCH |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 1.8 V |
认证状态 | Not Qualified |
就绪/忙碌 | YES |
部门规模 | 8K,32K |
最大待机电流 | 0.00004 A |
最大压摆率 | 0.06 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | OTHER |
端子面层 | Tin/Silver/Copper/Nickel (Sn/Ag/Cu/Ni) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.5 mm |
端子位置 | BOTTOM |
切换位 | YES |
类型 | NOR TYPE |
Base Number Matches | 1 |
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