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S29NS128J0PBJW002

产品描述110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories
产品类别存储    存储   
文件大小792KB,共85页
制造商SPANSION
官网地址http://www.spansion.com/
标准
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S29NS128J0PBJW002概述

110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories

S29NS128J0PBJW002规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码BGA
包装说明10 X 11 MM, LEAD FREE, FBGA-48
针数48
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间65 ns
其他特性SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块TOP
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e2
长度10.95 mm
内存密度134217728 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
部门数/规模4,255
端子数量48
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织8MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装等效代码BGA48,12X18,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8 V
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1 mm
部门规模8K,32K
最大待机电流0.00004 A
最大压摆率0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Silver/Copper/Nickel (Sn/Ag/Cu/Ni)
端子形式BALL
端子节距0.5 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度9.95 mm
最长写入周期时间 (tWC)45 ms
Base Number Matches1
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