MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Vishay(威世) |
产品种类 | MOSFET |
技术 | Si |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SO-8 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Id-连续漏极电流 | 12 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 16.5 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.5 V |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
Qg-栅极电荷 | 43 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
Pd-功率耗散 | 6.8 W |
配置 | Single |
通道模式 | Enhancement |
资格 | AEC-Q101 |
封装 | Cut Tape |
封装 | MouseReel |
封装 | Reel |
高度 | 1.75 mm |
长度 | 4.9 mm |
系列 | SQ |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
宽度 | 3.9 mm |
正向跨导 - 最小值 | 85 S |
下降时间 | 13 ns |
上升时间 | 9.5 ns |
工厂包装数量 | 2500 |
典型关闭延迟时间 | 33 ns |
典型接通延迟时间 | 16 ns |
单位重量 | 74 mg |
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