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SQ4064EY-T1_GE3

产品描述MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
产品类别半导体    分立半导体    晶体管    MOSFET   
文件大小114KB,共8页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SQ4064EY-T1_GE3在线购买

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SQ4064EY-T1_GE3概述

MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4064EY-T1_GE3规格参数

参数名称属性值
厂商名称Vishay(威世)
产品种类MOSFET
技术Si
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SO-8
通道数量1 Channel
晶体管极性N-Channel
Vds-漏源极击穿电压60 V
Id-连续漏极电流12 A
Rds On-漏源导通电阻16.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压20 V
Qg-栅极电荷43 nC
最小工作温度- 55 C
最大工作温度+ 175 C
Pd-功率耗散6.8 W
配置Single
通道模式Enhancement
资格AEC-Q101
封装Cut Tape
封装MouseReel
封装Reel
高度1.75 mm
长度4.9 mm
系列SQ
晶体管类型1 N-Channel
宽度3.9 mm
正向跨导 - 最小值85 S
下降时间13 ns
上升时间9.5 ns
工厂包装数量2500
典型关闭延迟时间33 ns
典型接通延迟时间16 ns
单位重量74 mg
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