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S29WS128N0PBFW010

产品描述256/128/64 Megabit (16/8/4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory
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文件大小986KB,共95页
制造商SPANSION
官网地址http://www.spansion.com/
标准
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S29WS128N0PBFW010概述

256/128/64 Megabit (16/8/4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory

S29WS128N0PBFW010规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SPANSION
零件包装代码BGA
包装说明11.60 X 8 MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-84
针数84
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间70 ns
其他特性SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION POSSIBLE
启动块BOTTOM/TOP
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PBGA-B84
JESD-609代码e1
长度11.6 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
部门数/规模8,126
端子数量84
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织8MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装等效代码BGA84,10X12,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8 V
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1 mm
部门规模16K,64K
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度8 mm
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