FQD9N25TM-F080,FQD9N25TM-F080 pdf中文资料,FQD9N25TM-F080引脚图,FQD9N25TM-F080电路-Datasheet-电子工程世界

FQD9N25TM-F080: 产品描述MOSFET Trans MOS N-Ch 250V 7.4A 3-Pin 2+Tab; 产品类别半导体分立半导体晶体管 MOSFET; 文件大小1MB，共13页; 制造商Fairchild (ON Semiconductor); 标准

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MOSFET Trans MOS N-Ch 250V 7.4A 3-Pin 2+Tab

参数名称	属性值
厂商名称	Fairchild (ON Semiconductor)
产品种类	MOSFET
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TO-252-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	250 V
Id-连续漏极电流	7.4 A
Rds On-漏源导通电阻	420 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压	30 V
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	2.5 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	2.39 mm
长度	6.73 mm
系列	FQD9N25
晶体管类型	1 N-Channel
类型	Enhancement Mode Field Effect Transistor
宽度	6.22 mm
正向跨导 - 最小值	6.8 S
下降时间	45 ns
上升时间	105 ns
工厂包装数量	2500
典型关闭延迟时间	25 ns
典型接通延迟时间	13 ns
单位重量	260.370 mg

	FQD9N25TM-F080
描述	MOSFET Trans MOS N-Ch 250V 7.4A 3-Pin 2+Tab
厂商名称	Fairchild (ON Semiconductor)
产品种类	MOSFET
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TO-252-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	250 V
Id-连续漏极电流	7.4 A
Rds On-漏源导通电阻	420 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压	30 V
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	2.5 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
高度	2.39 mm
长度	6.73 mm
系列	FQD9N25
晶体管类型	1 N-Channel
类型	Enhancement Mode Field Effect Transistor
宽度	6.22 mm
正向跨导 - 最小值	6.8 S
下降时间	45 ns
上升时间	105 ns
工厂包装数量	2500
典型关闭延迟时间	25 ns
典型接通延迟时间	13 ns
单位重量	260.370 mg
封装	Reel

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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