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CTLDM7120-M832DS BK

产品描述MOSFET 20V Dual N-Ch FET 8.0Vgs 1.65W 2kV
产品类别半导体    分立半导体    晶体管    MOSFET   
文件大小766KB,共6页
制造商Central Semiconductor
标准
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CTLDM7120-M832DS BK概述

MOSFET 20V Dual N-Ch FET 8.0Vgs 1.65W 2kV

CTLDM7120-M832DS BK规格参数

参数名称属性值
厂商名称Central Semiconductor
产品种类MOSFET
技术Si
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TLM832DS-8
通道数量2 Channel
晶体管极性N-Channel
Vds-漏源极击穿电压20 V
Id-连续漏极电流1 A
Rds On-漏源导通电阻75 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压1 V
Vgs - 栅极-源极电压8 V
Qg-栅极电荷2.4 nC
最小工作温度- 65 C
最大工作温度+ 150 C
Pd-功率耗散1.65 W
配置Dual
通道模式Enhancement
封装Bulk
系列CTLDM7120-M832DS
晶体管类型2 N-Channel
工厂包装数量5000
典型关闭延迟时间140 ns
典型接通延迟时间25 ns

CTLDM7120-M832DS BK相似产品对比

CTLDM7120-M832DS BK CTLDM7120-M832DS TR
描述 MOSFET 20V Dual N-Ch FET 8.0Vgs 1.65W 2kV MOSFET 20V Dual N-Ch FET 8.0Vgs 1.65W 2kV
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor
产品种类 MOSFET MOSFET
技术 Si Si
安装风格 SMD/SMT SMD/SMT
封装 / 箱体 TLM832DS-8 TLM832DS
通道数量 2 Channel 2 Channel
晶体管极性 N-Channel N-Channel
Vds-漏源极击穿电压 20 V 20 V
Id-连续漏极电流 1 A 1 A
Rds On-漏源导通电阻 75 mOhms 75 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压 1 V 1 V
Vgs - 栅极-源极电压 8 V 8 V
Qg-栅极电荷 2.4 nC 2.4 nC
最小工作温度 - 65 C - 65 C
最大工作温度 + 150 C + 150 C
Pd-功率耗散 1.65 W 1.65 W
配置 Dual Dual
通道模式 Enhancement Enhancement
系列 CTLDM7120-M832DS CTLDM7120-M832DS
晶体管类型 2 N-Channel 2 N-Channel
工厂包装数量 5000 3000
典型关闭延迟时间 140 ns 140 ns
典型接通延迟时间 25 ns 25 ns
封装 Bulk Reel
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