MOSFET 20V Dual N-Ch FET 8.0Vgs 1.65W 2kV
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Central Semiconductor |
产品种类 | MOSFET |
技术 | Si |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | TLM832DS-8 |
通道数量 | 2 Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Id-连续漏极电流 | 1 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 75 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 1 V |
Vgs - 栅极-源极电压 | 8 V |
Qg-栅极电荷 | 2.4 nC |
最小工作温度 | - 65 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 1.65 W |
配置 | Dual |
通道模式 | Enhancement |
封装 | Bulk |
系列 | CTLDM7120-M832DS |
晶体管类型 | 2 N-Channel |
工厂包装数量 | 5000 |
典型关闭延迟时间 | 140 ns |
典型接通延迟时间 | 25 ns |
CTLDM7120-M832DS BK | CTLDM7120-M832DS TR | |
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描述 | MOSFET 20V Dual N-Ch FET 8.0Vgs 1.65W 2kV | MOSFET 20V Dual N-Ch FET 8.0Vgs 1.65W 2kV |
厂商名称 | Central Semiconductor | Central Semiconductor |
产品种类 | MOSFET | MOSFET |
技术 | Si | Si |
安装风格 | SMD/SMT | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | TLM832DS-8 | TLM832DS |
通道数量 | 2 Channel | 2 Channel |
晶体管极性 | N-Channel | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V | 20 V |
Id-连续漏极电流 | 1 A | 1 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 75 mOhms | 75 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 1 V | 1 V |
Vgs - 栅极-源极电压 | 8 V | 8 V |
Qg-栅极电荷 | 2.4 nC | 2.4 nC |
最小工作温度 | - 65 C | - 65 C |
最大工作温度 | + 150 C | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 1.65 W | 1.65 W |
配置 | Dual | Dual |
通道模式 | Enhancement | Enhancement |
系列 | CTLDM7120-M832DS | CTLDM7120-M832DS |
晶体管类型 | 2 N-Channel | 2 N-Channel |
工厂包装数量 | 5000 | 3000 |
典型关闭延迟时间 | 140 ns | 140 ns |
典型接通延迟时间 | 25 ns | 25 ns |
封装 | Bulk | Reel |
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