MOSFET 60V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Vishay(威世) |
产品种类 | MOSFET |
技术 | Si |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | PowerPAK-8x8-4 |
通道数量 | 2 Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Id-连续漏极电流 | 63 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 9 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
Qg-栅极电荷 | 19 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
Pd-功率耗散 | 71 W |
配置 | Dual |
资格 | AEC-Q101 |
封装 | Cut Tape |
封装 | MouseReel |
封装 | Reel |
系列 | SQ |
下降时间 | 3 ns |
上升时间 | 3 ns |
工厂包装数量 | 2000 |
典型关闭延迟时间 | 22 ns |
典型接通延迟时间 | 10 ns |
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