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SQJQ960EL-T1_GE3

产品描述MOSFET 60V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
产品类别半导体    分立半导体    晶体管    MOSFET   
文件大小191KB,共8页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SQJQ960EL-T1_GE3在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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SQJQ960EL-T1_GE3概述

MOSFET 60V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQJQ960EL-T1_GE3规格参数

参数名称属性值
厂商名称Vishay(威世)
产品种类MOSFET
技术Si
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体PowerPAK-8x8-4
通道数量2 Channel
晶体管极性N-Channel
Vds-漏源极击穿电压60 V
Id-连续漏极电流63 A
Rds On-漏源导通电阻9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压2 V
Vgs - 栅极-源极电压20 V
Qg-栅极电荷19 nC
最小工作温度- 55 C
最大工作温度+ 175 C
Pd-功率耗散71 W
配置Dual
资格AEC-Q101
封装Cut Tape
封装MouseReel
封装Reel
系列SQ
下降时间3 ns
上升时间3 ns
工厂包装数量2000
典型关闭延迟时间22 ns
典型接通延迟时间10 ns

 
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