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24C02CT/ST

产品描述电可擦除可编程只读存储器 256x8
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文件大小134KB,共17页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
标准
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24C02CT/ST概述

电可擦除可编程只读存储器 256x8

24C02CT/ST规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TSSOP
包装说明4.40 MM, LEAD FREE, PLASTIC, MO-153, TSSOP-8
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
数据保留时间-最小值200
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DDDR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
长度4.4 mm
内存密度2048 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
字数256 words
字数代码256
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256X8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.1 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度3 mm
最长写入周期时间 (tWC)1 ms
写保护HARDWARE
Base Number Matches1

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24C02C
2K 5.0V I
2
C
Serial EEPROM
Features
• Single supply with operation from 4.5 to 5.5V
• Low-power CMOS technology
- 1 mA active current typical
- 10
µA
standby current typical at 5.5V
• Organized as a single block of 256 bytes (256 x 8)
• Hardware write protection for upper half of array
• 2-wire serial interface bus, I
2
C compatible
• 100 kHz and 400 kHz compatibility
• Page write buffer for up to 16 bytes
• Self-timed write cycle (including auto-erase)
• Fast 1 mS write cycle time for Byte or Page mode
• Address lines allow up to eight devices on bus
• 1,000,000 erase/write cycles
• ESD protection > 4,000V
• Data retention > 200 years
• 8-pin PDIP, SOIC or TSSOP packages
• Available for extended temperature ranges
- Commercial (C):
0°C
to +70°C
- Industrial (I):
-40°C to +85°C
- Automotive (E):
-40°C to +125°C
Package Types
PDIP/SOIC
A0
A1
A2
Vss
1
8
Vcc
WP
SCL
SDA
24C02C
2
3
4
7
6
5
TSSOP
A0
A1
A2
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
WP
SCL
SDA
24C02C
Block Diagram
A0 A1 A2
WP
HV Generator
Description
The Microchip Technology Inc. 24C02C is a 2K bit
Serial Electrically Erasable PROM with a voltage range
of 4.5V to 5.5V. The device is organized as a single
block of 256 x 8-bit memory with a 2-wire serial
interface. Low current design permits operation with
typical standby and active currents of only 10
µA
and 1
mA respectively. The device has a page write capability
for up to 16 bytes of data and has fast write cycle times
of only 1 mS for both byte and page writes. Functional
address lines allow the connection of up to eight
24C02C devices on the same bus for up to 16K bits of
contiguous EEPROM memory. The device is available
in the standard 8-pin PDIP, 8-pin SOIC (150 mil) and
TSSOP packages.
I/O
Control
Logic
Memory
Control
Logic
XDEC
EEPROM
Array
SDA SCL
Vcc
Vss
Write-Protect
Circuitry
YDEC
Sense Amp.
R/W Control
I
2
C is a trademark of Philips Corporation.
2003 Microchip Technology Inc.
DS21202D-page 1

24C02CT/ST相似产品对比

24C02CT/ST 24C02C-E-P 24C02CT-E/SN 24C02C/P 24C02CT-E/ST 24C02C-I/P 24C02C-I/MS 24C02CT-I/MS 24C02C-E/MS
描述 电可擦除可编程只读存储器 256x8 EEPROM 256x8 EEPROM 256x8 EEPROM 256x8 EEPROM 256x8 EEPROM 256x8 EEPROM 256x8 电可擦除可编程只读存储器 256x8 电可擦除可编程只读存储器 256x8
是否无铅 不含铅 - 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 TSSOP - SOIC DIP SOIC DIP MSOP MSOP MSOP
包装说明 4.40 MM, LEAD FREE, PLASTIC, MO-153, TSSOP-8 - 3.90 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, MS-001, DIP-8 4.40 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSSOP-8 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MSOP-8 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MSOP-8 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MSOP-8
针数 8 - 8 8 8 8 8 8 8
Reach Compliance Code compliant - compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 6 weeks - 11 weeks 15 weeks 6 weeks 15 weeks 17 weeks 8 weeks 17 weeks
最大时钟频率 (fCLK) 0.4 MHz - 0.1 MHz 0.4 MHz 0.1 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz 0.1 MHz
数据保留时间-最小值 200 - 200 200 200 200 200 200 200
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles - 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节 1010DDDR - 1010DDDR 1010DDDR 1010DDDR 1010DDDR 1010DDDR 1010DDDR 1010DDDR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 - R-PDSO-G8 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8 S-PDSO-G8 S-PDSO-G8 S-PDSO-G8
JESD-609代码 e3 - e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3
长度 4.4 mm - 4.9 mm 9.46 mm 4.4 mm 9.27 mm 3 mm 3 mm 3 mm
内存密度 2048 bit - 2048 bit 2048 bit 2048 bit 2048 bit 2048 bit 2048 bit 2048 bit
内存集成电路类型 EEPROM - EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 - 8 8 8 8 8 8 8
湿度敏感等级 1 - 1 - 1 - 1 1 1
功能数量 1 - 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 8 - 8 8 8 8 8 8 8
字数 256 words - 256 words 256 words 256 words 256 words 256 words 256 words 256 words
字数代码 256 - 256 256 256 256 256 256 256
工作模式 SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C - 125 °C 70 °C 125 °C 85 °C 85 °C 85 °C 125 °C
最低工作温度 - - -40 °C - -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 256X8 - 256X8 256X8 256X8 256X8 256X8 256X8 256X8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP - SOP DIP TSSOP DIP TSSOP TSSOP TSSOP
封装等效代码 TSSOP8,.25 - SOP8,.25 DIP8,.3 TSSOP8,.25 DIP8,.3 TSSOP8,.19 TSSOP8,.19 TSSOP8,.19
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH - SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH IN-LINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行 SERIAL - SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) 260 - 260 NOT APPLICABLE 260 NOT APPLICABLE 260 260 260
电源 5 V - 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.1 mm - 1.75 mm 4.32 mm 1.2 mm 5.334 mm 1.1 mm 1.1 mm 1.1 mm
串行总线类型 I2C - I2C I2C I2C I2C I2C I2C I2C
最大待机电流 0.00005 A - 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A
最大压摆率 0.003 mA - 0.003 mA 0.003 mA 0.003 mA 0.003 mA 0.003 mA 0.003 mA 0.003 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V - 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V - 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V - 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES - YES NO YES NO YES YES YES
技术 CMOS - CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL - AUTOMOTIVE COMMERCIAL AUTOMOTIVE INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL AUTOMOTIVE
端子面层 Matte Tin (Sn) - Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING - GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm - 1.27 mm 2.54 mm 0.65 mm 2.54 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 DUAL - DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 - 40 NOT APPLICABLE 40 NOT APPLICABLE 40 40 40
宽度 3 mm - 3.9 mm 7.62 mm 3 mm 7.62 mm 3 mm 3 mm 3 mm
最长写入周期时间 (tWC) 1 ms - 1.5 ms 1 ms 1.5 ms 1 ms 1 ms 1 ms 1.5 ms
写保护 HARDWARE - HARDWARE HARDWARE HARDWARE HARDWARE HARDWARE HARDWARE HARDWARE
Base Number Matches 1 - 1 1 1 1 1 1 1
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