256M X 16 FLASH 3V PROM, 110 ns, PBGA64
256M × 16 FLASH 3V 可编程只读存储器, 110 ns, PBGA64
参数名称 | 属性值 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 64 |
最小工作温度 | -40 Cel |
最大工作温度 | 85 Cel |
额定供电电压 | 3.3 V |
最小供电/工作电压 | 3 V |
最大供电/工作电压 | 3.6 V |
加工封装描述 | 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FORTIFIED, BGA-64 |
each_compli | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
中国RoHS规范 | Yes |
状态 | Active |
ype | NOR TYPE |
sub_category | Flash Memories |
ccess_time_max | 110 ns |
command_user_interface | NO |
common_flash_interface | YES |
data_polling | NO |
jesd_30_code | R-PBGA-B64 |
jesd_609_code | e1 |
存储密度 | 4.29E9 bit |
内存IC类型 | FLASH |
备用存储器宽度 | 8 |
moisture_sensitivity_level | 3 |
umber_of_sectors_size | 2K |
位数 | 2.68E8 words |
位数 | 256M |
操作模式 | ASYNCHRONOUS |
组织 | 256MX16 |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
ckage_code | LBGA |
ckage_equivalence_code | BGA64,8X8,40 |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
ge_size__words_ | 8/16 |
串行并行 | PARALLEL |
eak_reflow_temperature__cel_ | 260 |
wer_supplies__v_ | 3.3 |
gramming_voltage__v_ | 3 |
qualification_status | COMMERCIAL |
eady_busy | YES |
seated_height_max | 1.4 mm |
sector_size__words_ | 128K |
表面贴装 | YES |
工艺 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子涂层 | TIN SILVER COPPER |
端子形式 | BALL |
端子间距 | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM |
ime_peak_reflow_temperature_max__s_ | 40 |
ggle_bi | NO |
length | 13 mm |
width | 11 mm |
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