双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RH ULTRA HI-SPEED NPN-PNP TRANSISTOR ARRAY, FLATPACK,PROTOTY
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
产品种类 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
发货限制 | 此产品可能需要其他文件才能从美国出口。 |
技术 | Si |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | Flatpack-16 |
晶体管极性 | NPN, PNP |
配置 | Penta |
集电极—基极电压 VCBO | - 10 V, 12 V |
发射极 - 基极电压 VEBO | - 4.5 V, 5.5 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
最大直流电集电极电流 | 11.3 mA |
增益带宽产品fT | 5.5 GHz, 8GHz |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 125 C |
系列 | ISL73096 |
高度 | 2.92 mm |
长度 | 11.18 mm |
封装 | Tray |
宽度 | 7.24 mm |
直流集电极/Base Gain hfe Min | 20, 40 |
Pd-功率耗散 | 1.25 W |
工厂包装数量 | 100 |
ISL73096RHF/PROTO | ISL73096EHVF | ISL73127RHF/PROTO | ISL73128RHVF | ISL73128RHF/PROTO | |
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描述 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RH ULTRA HI-SPEED NPN-PNP TRANSISTOR ARRAY, FLATPACK,PROTOTY | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RH ULTRA HI-SPEED NPN-PNP TRANSISTOR ARRAY , FLATPACK, CLASS | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RH ULTRA HI-SPEED NPN TRANSISTOR ARRAY, FLATPACK,PROTOTYPE | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RH ULTRA HI-SPEED PNP TRANSISTOR ARRAY , FLATPACK, CLASS V | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RH ULTRA HI-SPEED PNP TRANSISTOR ARRAY, FLATPACK,PROTOTYPE |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
产品种类 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | - | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
发货限制 | 此产品可能需要其他文件才能从美国出口。 | 此产品可能需要其他文件才能从美国出口。 | 此产品可能需要其他文件才能从美国出口。 | - | 此产品可能需要其他文件才能从美国出口。 |
技术 | Si | Si | Si | - | Si |
安装风格 | SMD/SMT | SMD/SMT | SMD/SMT | - | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | Flatpack-16 | Flatpack-16 | Flatpack-16 | - | Flatpack-16 |
晶体管极性 | NPN, PNP | NPN, PNP | NPN | - | PNP |
配置 | Penta | Penta | Quint | - | Quint |
集电极—基极电压 VCBO | - 10 V, 12 V | - 10 V, 12 V | 12 V | - | - 10 V |
发射极 - 基极电压 VEBO | - 4.5 V, 5.5 V | - 4.5 V, 5.5 V | 5.5 V | - | - 4.5 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.5 V | 0.5 V | 0.5 V | - | - 0.5 V |
最大直流电集电极电流 | 11.3 mA | 11.3 mA | 11.3 mA | - | 11.3 mA |
增益带宽产品fT | 5.5 GHz, 8GHz | 5.5 GHz, 8GHz | 8GHz | - | 5.5 GHz |
最小工作温度 | - 55 C | - 55 C | - 55 C | - | - 55 C |
最大工作温度 | + 125 C | + 125 C | + 125 C | - | + 125 C |
系列 | ISL73096 | ISL73096 | ISL73127 | - | ISL73128 |
封装 | Tray | Tray | Tray | - | Tray |
直流集电极/Base Gain hfe Min | 20, 40 | 20, 40 | 40 | - | 20 |
Pd-功率耗散 | 1.25 W | 1.25 W | 1.25 W | - | 1.25 W |
工厂包装数量 | 100 | 100 | 100 | - | 100 |
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