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S71WS256PD0HF3SR0

产品描述1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM
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文件大小149KB,共10页
制造商SPANSION
官网地址http://www.spansion.com/
标准
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S71WS256PD0HF3SR0概述

1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM

S71WS256PD0HF3SR0规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SPANSION
零件包装代码BGA
包装说明8 X 11.60 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-84
针数84
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间80 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B84
JESD-609代码e1
长度11.6 mm
内存密度268435456 bi
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度16
混合内存类型FLASH+PSRAM
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量84
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织16MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA84,10X12,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度8 mm
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