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24C65T-I/SM

产品描述电可擦除可编程只读存储器 8kx8 Smart
产品类别存储    存储   
文件大小204KB,共25页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
标准
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24C65T-I/SM概述

电可擦除可编程只读存储器 8kx8 Smart

24C65T-I/SM规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOIC
包装说明5.28 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIJ-8
针数8
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time14 weeks
其他特性DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
数据保留时间-最小值200
耐久性100000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DDDR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
长度5.245 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数8192 words
字数代码8000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8KX8
输出特性OPEN-DRAIN
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.03 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)6 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度5.23 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护SOFTWARE
Base Number Matches1

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24AA65/24LC65/24C65
64K I
2
C
Smart Serial
EEPROM
Device Selection Table
Part Number
24AA65
24LC65
24C65
V
CC
Range
1.8-6.0V
2.5-6.0V
4.5-6.0V
Page Size
64 Bytes
64 Bytes
64 Bytes
Temp. Ranges
C
C, I
C, I, E
Packages
P, SM
P, SM
P, SM
Features
• Voltage operating range: 1.8V to 6.0V
- Peak write current 3 mA at 6.0V
- Maximum read current 150
µA
at 6.0V
- Standby current 1
µA
typical
• Industry standard two-wire bus protocol I
2
C™
compatible
• 8-byte page, or byte modes available
• 2 ms typical write cycle time, byte or page
• 64-byte input cache for fast write loads
• Up to 8 devices may be connected to the same
bus for up to 512K bits total memory
• Including 100 kHz (1.8V
Vcc
<
4.5V) and 400
kHz (4.5V
V
CC
6.0V) compatibility
• Programmable block security options
• Programmable endurance options
• Schmitt Trigger, filtered inputs for noise
suppression
• Output slope control to eliminate ground bounce
• Self-timed erase and write cycles
• Power-on/off data protection circuitry
• Endurance:
- 10,000,000 E/W cycles for a High Endurance
Block
- 1,000,000 E/W cycles for a Standard
Endurance Block
• Electrostatic discharge protection > 4000V
• Data retention > 200 years
• 8-pin PDIP/SOIC packages
• Temperature ranges
- Commercial (C):
0°C to +70°C
- Industrial (I)
-40°C to +85°C
- Automotive (E)
-40°C to +125°C
Description
The Microchip Technology Inc. 24AA65/24LC65/
24C65 (24XX65)* is a “smart” 8K x 8 Serial Electrically
Erasable PROM. This device has been developed for
advanced, low-power applications such as personal
communications, and provides the systems designer
with flexibility through the use of many new user-pro-
grammable features. The 24XX65 offers a relocatable
4K bit block of ultra-high-endurance memory for data
that changes frequently. The remainder of the array, or
60K bits, is rated at 1,000,000 erase/write (E/W) cycles
ensured. The 24XX65 features an input cache for fast
write loads with a capacity of eight pages, or 64 bytes.
This device also features programmable security
options for E/W protection of critical data and/or code
of up to fifteen 4K blocks. Functional address lines
allow the connection of up to eight 24XX65's on the
same bus for up to 512K bits contiguous EEPROM
memory. Advanced CMOS technology makes this
device ideal for low-power nonvolatile code and data
applications. The 24XX65 is available in the standard
8-pin plastic DIP and 8-pin surface mount SOIC
package.
Package Types
PDIP
A0
A1
A2
V
SS
1
8
V
CC
NC
SCL
SDA
24XX65
2
3
4
7
6
5
SOIC
A0
A1
A2
1
8
V
CC
NC
SCL
SDA
24XX65
2
3
4
7
6
5
*24XX65 is used in this document as a generic part
number for the 24AA65/24LC65/24C65 devices.
V
SS
2003 Microchip Technology Inc.
DS21073J-page 1

24C65T-I/SM相似产品对比

24C65T-I/SM 24LC65-I-SMG 24LC65-I-SM 24AA65-SM 24LC65T/SMG 24C65/SM 24C65T/SM 24C65-I/P
描述 电可擦除可编程只读存储器 8kx8 Smart EEPROM 8kx8 - 2.5V Smart Industrial Temp EEPROM 8kx8 - 2.5V Smart EEPROM 8kx8 1.8V Smart EEPROM 8kx8 - 2.5V Smart Lead Free Package EEPROM 8kx8 Smart 电可擦除可编程只读存储器 8kx8 Smart 电可擦除可编程只读存储器 8kx8 Smart
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