MOSFET PT8P 40V LL PQFN56
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
产品种类 | MOSFET |
技术 | Si |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | DFN-8 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Id-连续漏极电流 | 30 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 20.5 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
Qg-栅极电荷 | 18 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
Pd-功率耗散 | 68.2 W |
配置 | Single |
通道模式 | Enhancement |
封装 | Cut Tape |
封装 | MouseReel |
封装 | Reel |
下降时间 | 40 ns |
上升时间 | 28 ns |
工厂包装数量 | 3000 |
典型关闭延迟时间 | 112 ns |
典型接通延迟时间 | 8 ns |
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