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FDWS9511L-F085

产品描述MOSFET PT8P 40V LL PQFN56
产品类别半导体    分立半导体    晶体管    MOSFET   
文件大小165KB,共8页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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FDWS9511L-F085在线购买

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FDWS9511L-F085概述

MOSFET PT8P 40V LL PQFN56

FDWS9511L-F085规格参数

参数名称属性值
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
产品种类MOSFET
技术Si
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体DFN-8
通道数量1 Channel
晶体管极性P-Channel
Vds-漏源极击穿电压40 V
Id-连续漏极电流30 A
Rds On-漏源导通电阻20.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压3 V
Vgs - 栅极-源极电压20 V
Qg-栅极电荷18 nC
最小工作温度- 55 C
最大工作温度+ 175 C
Pd-功率耗散68.2 W
配置Single
通道模式Enhancement
封装Cut Tape
封装MouseReel
封装Reel
下降时间40 ns
上升时间28 ns
工厂包装数量3000
典型关闭延迟时间112 ns
典型接通延迟时间8 ns

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