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PXAC213308FV-V1-R0: 产品描述射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET; 产品类别半导体分立半导体晶体管 RF晶体管射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管; 文件大小421KB，共9页; 制造商Wolfspeed (Cree); 标准

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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

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描述	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
厂商名称	Wolfspeed (Cree)	Wolfspeed (Cree)
产品种类	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性	Dual N-Channel	Dual N-Channel
技术	Si	Si
Vds-漏源极击穿电压	65 V	65 V
Rds On-漏源导通电阻	60 mOhms	60 mOhms
增益	16.5 dB	16.5 dB
输出功率	320 W	320 W
最大工作温度	+ 225 C	+ 225 C
安装风格	SMD/SMT	SMD/SMT
封装 / 箱体	H-37275G-6/2	H-37275G-6/2
封装	Reel	Reel
工作频率	2110 MHz to 2200 MHz	2110 MHz to 2200 MHz
类型	RF Power MOSFET	RF Power MOSFET
通道数量	2 Channel	2 Channel
工厂包装数量	50	250
Vgs - 栅极-源极电压	10 V	10 V

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY