MOSFET T8 80V SO8FL
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
| 产品种类 | MOSFET |
| 技术 | Si |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | DFN-5 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 6.7 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| Qg-栅极电荷 | 25 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| Pd-功率耗散 | 89 W |
| 配置 | Single |
| 通道模式 | Enhancement |
| 封装 | Reel |
| 正向跨导 - 最小值 | 97 S |
| 下降时间 | 34 ns |
| 上升时间 | 45 ns |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 典型关闭延迟时间 | 41 ns |
| 典型接通延迟时间 | 16 ns |
| NVMFS6H836NT1G | NVMFS6H836NWFT1G | |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET T8 80V SO8FL | MOSFET T8 80V SO8FL |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) |
| 产品种类 | MOSFET | MOSFET |
| 技术 | Si | Si |
| 安装风格 | SMD/SMT | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | DFN-5 | DFN-5 |
| 通道数量 | 1 Channel | 1 Channel |
| 晶体管极性 | N-Channel | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V | 80 V |
| Id-连续漏极电流 | 80 A | 80 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 6.7 mOhms | 6.7 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V | 2 V |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V | 20 V |
| Qg-栅极电荷 | 25 nC | 25 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C | + 175 C |
| Pd-功率耗散 | 89 W | 89 W |
| 配置 | Single | Single |
| 通道模式 | Enhancement | Enhancement |
| 封装 | Reel | Reel |
| 正向跨导 - 最小值 | 97 S | 97 S |
| 下降时间 | 34 ns | 34 ns |
| 上升时间 | 45 ns | 45 ns |
| 工厂包装数量 | 1500 | 1500 |
| 典型关闭延迟时间 | 41 ns | 41 ns |
| 典型接通延迟时间 | 16 ns | 16 ns |
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